Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
The processes of formation of nanosized defects on the surfaces of layered crystals and the formation of semi-conductor nanostructures on them have been studied. The atomic force microscopy method for examination of the surface morphological characteristics has been used. Morphological features of n...
Збережено в:
| Дата: | 2011 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2011
|
| Онлайн доступ: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/125 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Репозитарії
Chemistry, Physics and Technology of Surface| _version_ | 1856543781555273728 |
|---|---|
| author | Pashayev, A. M. Tagiev, B. G. Safarzade, A. A. |
| author_facet | Pashayev, A. M. Tagiev, B. G. Safarzade, A. A. |
| author_sort | Pashayev, A. M. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-06-29T10:23:14Z |
| description | The processes of formation of nanosized defects on the surfaces of layered crystals and the formation of semi-conductor nanostructures on them have been studied. The atomic force microscopy method for examination of the surface morphological characteristics has been used. Morphological features of nanostructures have been revealed on sheared surface of crystalline GaSe containing 0.01% Sn under normal conditions. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:30:28Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-125 |
| institution | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
| language | Russian |
| last_indexed | 2025-07-22T19:30:28Z |
| publishDate | 2011 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-1252022-06-29T10:23:14Z Structure Peculiarities of Sheared Surfaces of Layered Crystals GaSe‹Sn› Особенности структуры поверхностей слоистых кристаллов GaSe‹Sn› Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn› Pashayev, A. M. Tagiev, B. G. Safarzade, A. A. The processes of formation of nanosized defects on the surfaces of layered crystals and the formation of semi-conductor nanostructures on them have been studied. The atomic force microscopy method for examination of the surface morphological characteristics has been used. Morphological features of nanostructures have been revealed on sheared surface of crystalline GaSe containing 0.01% Sn under normal conditions. Изучены процессы образования наноразмерных дефектов на поверхностях слоистых кристаллов, а также формирования на них полупроводниковых наноструктур. Для исследования морфологических характеристик поверхности применен метод атомно-силовой микроскопии. Выявлены морфологические особенности наноструктур на сколотой поверхности кристалла GaSe, содержащего 0,01% Sn при нормальных условиях. Вивчено процеси утворення нанорозмірних дефектів на поверхнях шаруватих кристалів, а також формування на них напівпровідникових наноструктур. Для дослідження морфологічних характеристик поверхні використано метод атомно-силової мікроскопії. Виявлено морфологічні особливості наноструктур на сколотій поверхні кристала GaSe, що містить 0,01% Sn за нормальних умов. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2011-11-01 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/125 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 2 No. 4 (2011): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 413-416 Химия, физика и технология поверхности; Том 2 № 4 (2011): Химия, физика и технология поверхности; 413-416 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 2 № 4 (2011): Хімія, фізика та технологія поверхні; 413-416 2518-1238 2079-1704 ru https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/125/121 Copyright (c) 2011 A. M. Pashayev, B. G. Tagiev, A. A. Safarzade |
| spellingShingle | Pashayev, A. M. Tagiev, B. G. Safarzade, A. A. Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn› |
| title | Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn› |
| title_alt | Structure Peculiarities of Sheared Surfaces of Layered Crystals GaSe‹Sn› Особенности структуры поверхностей слоистых кристаллов GaSe‹Sn› |
| title_full | Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn› |
| title_fullStr | Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn› |
| title_full_unstemmed | Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn› |
| title_short | Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn› |
| title_sort | особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів gase‹sn› |
| url | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/125 |
| work_keys_str_mv | AT pashayevam structurepeculiaritiesofshearedsurfacesoflayeredcrystalsgasesn AT tagievbg structurepeculiaritiesofshearedsurfacesoflayeredcrystalsgasesn AT safarzadeaa structurepeculiaritiesofshearedsurfacesoflayeredcrystalsgasesn AT pashayevam osobennostistrukturypoverhnostejsloistyhkristallovgasesn AT tagievbg osobennostistrukturypoverhnostejsloistyhkristallovgasesn AT safarzadeaa osobennostistrukturypoverhnostejsloistyhkristallovgasesn AT pashayevam osoblivostístrukturiskolotihpoverhonʹšaruvatihkristalívgasesn AT tagievbg osoblivostístrukturiskolotihpoverhonʹšaruvatihkristalívgasesn AT safarzadeaa osoblivostístrukturiskolotihpoverhonʹšaruvatihkristalívgasesn |