Buchumschlag

Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›

The processes of formation of nanosized defects on the surfaces of layered crystals and the formation of semi-conductor nanostructures on them have been studied. The atomic force microscopy method for examination of the surface morphological characteristics has been used. Morphological features of n...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2011
Hauptverfasser:	Pashayev, A. M., Tagiev, B. G., Safarzade, A. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2011
Online Zugang:	https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/125
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Chemistry, Physics and Technology of Surface

Institution

Chemistry, Physics and Technology of Surface

Ähnliche Einträge

Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
von: Galiy, P. V.
Veröffentlicht: (2014)

Барична та тензочутливість шаруватих напівпровідників InSe та GaSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
von: Кудринський, З.Р.
Veröffentlicht: (2013)

Hopping conductivity in GaSe monocrystals at low temperatures
von: Pashayev, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Електричні властивості інтеркальованих шаруватих кристалів In2Se3
von: Boledzyuk, V.B., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Наноструктурні дослідження поверхонь (100) кристалів In₄Se₃, інтеркальованих сріблом
von: Галій, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Самоорганізація магнітних наноструктур на поверхні шарів шаруватих кристалів In₂Se₃, інтеркальованих кобальтом
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
von: Boledzyuk, V. B., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe
von: Балицький, О.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Fine structure of NQR spectra in GaSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Dielectric characteristics of GaSe nanocrystals intercalated with hydrogen
von: Kaminskii, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledzyuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI
von: Galiy, P. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Mechanisms of current passage and excitation of electroluminescence in GaSe:Er monocrystals
von: Tagiyev, B.G., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)

The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
von: Z. D. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Optical properties of GaSe semiconducting crystals intercalated by CdTe nanoparticles
von: Khalavk, Y.B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Вплив наводнювання на властивості шаруватих кристалів моноселенідів галію та індію
von: Балицький, О.О.
Veröffentlicht: (2010)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe/histidine/ and GaSe/histidine/
von: F. O. Ivashchyshyn, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe /histidine/ and GaSe /histidine/
von: F. O. Ivashchyshyn, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)

On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Дослідження кристалів Cu2ZnSnSe4 та гетеропереходів на їхній основі
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2018)

THERMODYNAMICALLY STABLE PHASES OF THE Ag9GaSe6 – Ag8GeSe6 SYSTEM AT T
von: Moroz, Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Impedance Anisotropy and Quantum Photocapacity of Bio/Inorganic Clathrates InSe<HISTIDINE> and GaSe<HISTIDINE>
von: Ivashchyshyn, F.O., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Вплив тиску на електрофізичні властивості границі розділу гетероконтактів на основі шаруватих кристалів
von: Воробець, М.О.
Veröffentlicht: (2008)

Хемічний склад і морфологія поверхні йонотронних наноструктур, сформованих на основі 2D-шаруватих кристалів InSe і йонної солі RbNO₃
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Вплив лазерного опромінення на процес впровадження водню в шаруваті кристали GaSe
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Вплив одновісного тиску на низькочастотну дисперсію діелектричної проникності у високоомних кристалах GaSe
von: Stakhira, J.M., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Нові нанокомпозитні сеґнетоелектричні матеріали — шаруваті кристали n-InSe<RbNO₃> та p-GaSe<RbNO₃>
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)