Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
The processes of formation of nanosized defects on the surfaces of layered crystals and the formation of semi-conductor nanostructures on them have been studied. The atomic force microscopy method for examination of the surface morphological characteristics has been used. Morphological features of n...
Gespeichert in:
| Datum: | 2011 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Pashayev, A. M., Tagiev, B. G., Safarzade, A. A. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russisch |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2011
|
| Online Zugang: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/125 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Institution
Chemistry, Physics and Technology of SurfaceÄhnliche Einträge
Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
von: Galiy, P. V.
Veröffentlicht: (2014)
von: Galiy, P. V.
Veröffentlicht: (2014)
Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
von: Кудринський, З.Р.
Veröffentlicht: (2013)
von: Кудринський, З.Р.
Veröffentlicht: (2013)
Наноструктурні дослідження поверхонь (100) кристалів In₄Se₃, інтеркальованих сріблом
von: Галій, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Галій, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Вплив інтеркалювання нікелем на властивості шаруватих кристалів InSe
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Боледзюк, В.Б., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Самоорганізація магнітних наноструктур на поверхні шарів шаруватих кристалів In₂Se₃, інтеркальованих кобальтом
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Fine structure of NQR spectra in GaSe
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Електрохемічні властивості шаруватої сполуки GaSe
von: Балицький, О.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Балицький, О.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Dielectric characteristics of GaSe nanocrystals intercalated with hydrogen
von: Kaminskii, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Kaminskii, V.I., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Конденсаторы на основе интеркалата GaSe <KNO₃>
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI
von: Galiy, P. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Galiy, P. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledzyuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. B. Boledzyuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Optical and electrical properties of InSe and GaSe layered crystals intercalated with ethanol
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: V. B. Boledziuk, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Mechanisms of forward current transport in p-GaSe-n-InSe heterojunctions
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Kovalyuk, Z.D., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Mechanisms of current passage and excitation of electroluminescence in GaSe:Er monocrystals
von: Tagiyev, B.G., et al.
Veröffentlicht: (2002)
von: Tagiyev, B.G., et al.
Veröffentlicht: (2002)
The effect of thermal treatment on the properties of the InSe and GaSe, doped by cobalt and vanadium selenidem
von: Z. D. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Z. D. Kovaliuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Дослідження кристалів Cu2ZnSnSe4 та гетеропереходів на їхній основі
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Impedance Anisotropy and Quantum Photocapacity of Bio/Inorganic Clathrates InSe<HISTIDINE> and GaSe<HISTIDINE>
von: Ivashchyshyn, F.O., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Ivashchyshyn, F.O., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe/histidine/ and GaSe/histidine/
von: F. O. Ivashchyshyn, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: F. O. Ivashchyshyn, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Impedance anisotropy and quantum photocapacity of bio/inorganic clathrates InSe /histidine/ and GaSe /histidine/
von: F. O. Ivashchyshyn, et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: F. O. Ivashchyshyn, et al.
Veröffentlicht: (2015)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)
On Wannier exciton 2D localization in hydrogen intercalated InSe and GaSe layered semiconductor crystals
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2004)
THERMODYNAMICALLY STABLE PHASES OF THE Ag9GaSe6 – Ag8GeSe6 SYSTEM AT T
von: Moroz, Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Moroz, Mykola, et al.
Veröffentlicht: (2022)
Хемічний склад і морфологія поверхні йонотронних наноструктур, сформованих на основі 2D-шаруватих кристалів InSe і йонної солі RbNO₃
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
von: Бахтінов, А.П., et al.
Veröffentlicht: (2017)
Термоелектричні властивості евтектичних сплавів систем TlBiSe₂—SnSe₂ (Tl₂SnSe₃, Tl₄SnSe₄) і Tl₄SnSe₄—Tl₉BiSe₆
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Investigation of some mechanisms for formation of exciton absorption bands in layered semiconductor n-InSe and p-GaSe crystals
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Zhirko, Yu.I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Особливості фотонних кристалів (огляд)
von: Лисюк, В.О., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Лисюк, В.О., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Фазові рівноваги у системі SnSe₂—Tl₂SnSe₃—TlBiSe₂
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Козьма, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Topology of the surface of thin oxide films CdO formed on van der Waals surfaces of InSe and GaSe layered crystals
von: Z. R. Kudrynskyi
Veröffentlicht: (2013)
von: Z. R. Kudrynskyi
Veröffentlicht: (2013)
Анізотропія властивостей та гігантський магнітоємнісний ефект в біо/неорганічному мультипошаровому нанокомпозиті GaSe <гістидин>
von: Іващишин, Ф.О., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Іващишин, Ф.О., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Аналіз сучасних методів визначення структури та топології поверхонь матеріалів
von: Повстяной, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Повстяной, О.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Properties of hybrid structures grown on the basis of nanocomposite (Ni-C) on the van der Waals surface (0001) GaSe
von: A. P. Bakhtinov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: A. P. Bakhtinov, et al.
Veröffentlicht: (2013)
Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
von: Малаховська, Т.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Малаховська, Т.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Перспективи використання кристалів ZnSe в гіперспектральних оптичних системах
von: Махній, Віктор Петрович, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Махній, Віктор Петрович, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Influence of Cu-, Sn-, and In-doping on optical properties of AgGaGe3 Se8 single crystals
von: A. S. Krymus, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: A. S. Krymus, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Influence of Cu-, Sn-, and In-doping on optical properties of AgGaGe3 Se8 single crystals
von: A. S. Krymus, et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: A. S. Krymus, et al.
Veröffentlicht: (2016)
Ähnliche Einträge
-
Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
von: Galiy, P. V.
Veröffentlicht: (2014) -
Гетеропереходи на основі шаруватих кристалів In₄Se₃
von: Ковалюк, З.Д., et al.
Veröffentlicht: (2016) -
Топологія поверхні тонких оксидних плівок CdO, сформованих на ван-дер-ваальсових поверхнях шаруватих кристалів InSe ТА GaSe
von: Кудринський, З.Р.
Veröffentlicht: (2013) -
Наноструктурні дослідження поверхонь (100) кристалів In₄Se₃, інтеркальованих сріблом
von: Галій, П.В., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Особливості магнітоопору монокристалів InSe І GaSe
von: Pokladok, N. T., et al.
Veröffentlicht: (2013)