Buchumschlag

Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція

The porous GaAs layers have been obtained on the GaAs(100) and GaAs(111) substrates by the chemical etching method. Etching of the substrates was carried out in HF-based solutions using HNO3 or Н2О2 as an oxidizer. Sponge layers were formed with adding of HNO3 and pores got pyramid-like shapes unifo...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2012
Hauptverfasser:	Paschenko, G. A., Kravetsky, M. Yu., Fomin, A. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2012
Online Zugang:	https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/150
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Назва журналу:	Chemistry, Physics and Technology of Surface

Institution

Chemistry, Physics and Technology of Surface

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