Отримання мікропоруватих шарів GaAs методом хімічного травлення на підкладках р-GaAs та їхня фотолюмінісценція
The porous GaAs layers have been obtained on the GaAs(100) and GaAs(111) substrates by the chemical etching method. Etching of the substrates was carried out in HF-based solutions using HNO3 or Н2О2 as an oxidizer. Sponge layers were formed with adding of HNO3 and pores got pyramid-like shapes unifo...
Збережено в:
| Дата: | 2012 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2012
|
| Онлайн доступ: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/150 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Репозитарії
Chemistry, Physics and Technology of SurfaceСхожі ресурси
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)
Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)
A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Effect of an InxGa1-xAs-GaAs blocking heterocathode metal contact on the GaAs TED operation
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Arkusha, Yu. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Получение периодических слоев GaAs методом электрохимического травления
за авторством: Дяденчук, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Дяденчук, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2014)
Structural and composition irregularities in GaAs:Si/GaAs films grown by liquid-phase epitaxy
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2000)
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2006)
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
Optical properties of GaAs/AlxGa1-xAs/GaAs quantum dot with off-central impurity driven by electric field
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Holovatsky, V.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Арапов, Ю.Г., та інші
Опубліковано: (2007)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. M. Vinoslavskii, та інші
Опубліковано: (2018)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
TiB₂/GaAs and Au-TiB₂/GaAs structural transformations at short-term thermal treatment
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Kryshtab, T.G., та інші
Опубліковано: (1999)
Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers
за авторством: Gadzhieva, N.N., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Gadzhieva, N.N., та інші
Опубліковано: (2020)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
Polarization-dependent photocurrent in p-GaAs
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
за авторством: V. R. Rasulov
Опубліковано: (2016)
Двумерный магнетофермионный конденсат в GaAs/AlGaAs гетероструктурах
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Кулик, Л.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)
2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)
Properties of SiO₂-GaAs and Au-Ti-SiO₂-GaAs structures used in production of transmission lines
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Boltovets, N.S., та інші
Опубліковано: (2002)
A novel Al0. 33Ga0. 67As/In0. 15Ga0. 85As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: H. Sghaier, та інші
Опубліковано: (2012)
Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)
Комплексное легирование слоев GaAs, InGaAs при жидкофазной эпитаксии
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
за авторством: Круковский, С.И.
Опубліковано: (2002)
Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
Structural properties of lattice-matched InGaPN on GaAs (001)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: P. Sritonwong, та інші
Опубліковано: (2018)
Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)
Optical properties of p-type porous GaAs
за авторством: Kidalov, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kidalov, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Active inductances controlled in GaAs MESFET technology
за авторством: Benbouza, M.S., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Benbouza, M.S., та інші
Опубліковано: (2006)
Монолитные трансформаторы в многослойной технологии GaAs
за авторством: Бондарь, Д.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Бондарь, Д.Б., та інші
Опубліковано: (2006)
Influence of gas adsorption on the impedance of porous GaAs
за авторством: Milovanov, Y.S., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Milovanov, Y.S., та інші
Опубліковано: (2017)
Obtaining periodic layers GaAs by electrochemical etching
за авторством: A. F. Djadenchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: A. F. Djadenchuk, та інші
Опубліковано: (2014)
Монолитные трансформаторы в многослойной технологии GaAs
за авторством: Bondar, D. B., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Bondar, D. B., та інші
Опубліковано: (2006)
Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)
Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)
Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)