ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ

ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ

This work is dedicated to the practical determination and comparison of the dynamic characteristics of silicon (Si) MOSFET, silicon carbide (SiC) MOSFET, and silicon IGBT when switching an active-inductive load, which is the most used mode of operation in electric drives and power converters. The ma...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Date:2025
Main Authors: Ковбаса, С.М., Вербовий, Ю.В., Коломійчук , Є.В.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Інститут електродинаміки НАН України, Київ 2025
Subjects:
напівпровідники з широкою забороненою зоною
тест подвійним імпульсом
силова електроніка
Si-MOSFET
SiC-MOSFET
Si-IGBT
втрати на перемикання
електропривод
високочастотна ШІМ
Online Access:https://techned.org.ua/index.php/techned/article/view/1709
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Technical Electrodynamics

Institution

Technical Electrodynamics

Internet

https://techned.org.ua/index.php/techned/article/view/1709

Similar Items