ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ

• Дата: 2025
• Автори: Ковбаса, С.М., Вербовий, Ю.В., Коломійчук , Є.В.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Інститут електродинаміки НАН України, Київ 2025
• Теми: напівпровідники з широкою забороненою зоною; тест подвійним імпульсом; силова електроніка; Si-MOSFET; SiC-MOSFET; Si-IGBT; втрати на перемикання; електропривод; високочастотна ШІМ
• Онлайн доступ: https://techned.org.ua/index.php/techned/article/view/1709
• Назва журналу: Technical Electrodynamics

This work is dedicated to the practical determination and comparison of the dynamic characteristics of silicon (Si) MOSFET, silicon carbide (SiC) MOSFET, and silicon IGBT when switching an active-inductive load, which is the most used mode of operation in electric drives and power converters. The ma...