Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником
With in the framework of a non-local electrostatics, the structure component ∆Vst(r) has been calculated in the vacuum interval  between a metal and a semiconductor with the quasi-neutral surfaces of two types of well-organized superficial lattices. It has been shown that s...
Збережено в:
| Дата: | 2008 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2008
|
| Онлайн доступ: | https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/253 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Surface |
| Завантажити файл: |  |
Репозитарії
Surface| _version_ | 1869291359338233856 |
|---|---|
| author | Il'chenko, L. G. Lobanov, V. V. |
| author_facet | Il'chenko, L. G. Lobanov, V. V. |
| author_institution_txt_mv | [
{
"author": "L. G. Il'chenko",
"institution": "Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України"
},
{
"author": "V. V. Lobanov",
"institution": "Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України"
}
] |
| author_sort | Il'chenko, L. G. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2018-11-27T09:40:34Z |
| description | With in the framework of a non-local electrostatics, the structure component ∆Vst(r) has been calculated in the vacuum interval  between a metal and a semiconductor with the quasi-neutral surfaces of two types of well-organized superficial lattices.
It has been shown that structural potential ∆Vst(r), which is a superposition of the microscopic structures of both surfaces, is asymmetrical and stipulates a lateral (along the interfaces) change in the total potential barrier V(r) in the vacuum gap. The increase ∆Vst(r) (amplitudes) is related to decrease in the distance  between semiconductor and metal as well as with decrease in the free electrons concentration in the metal. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:31:30Z |
| format | Article |
| fulltext |
Химия, физика и технология поверхности. 2008. Вып. 14. С. 43 – 51
43
УДК 539.2.01
РОЛЬ АТОМНОЇ СТРУКТУРИ ПОВЕРХОНЬ
У ФОРМУВАННІ ПОТЕНЦІАЛУ У ВАКУУМНОМУ
ПРОМІЖКУ МІЖ БЛИЗЬКОРОЗДІЛЕНИМИ
МЕТАЛОМ ТА НАПІВПРОВІДНИКОМ
Л.Г. Ільченко, В.В. Лобанов
Інститут хімії поверхні ім. О.О. Чуйка Національної академії наук України
вул. Генерала Наумова 17, 03164 Київ-164
В наближенні нелокальної електростатики проведено розрахунки структурного
потенціалу )(rVst
r
D в вакуумній щілині товщиною L , якою розділені метал та
напівпровідник, у випадку квазінейтральних їх поверхонь з двома типами впорядкованих
поверхневих граток.
Показано, що структурний потенціал )(rVst
r
D , який є суперпозицією вкладів,
обумовлених мікроскопічними структурами кожної з двох поверхонь, є несиметричним і
формує латеральну (вздовж меж поділу) зміну сумарного потенціалу )(rV r у вакуумній
щілині. Збільшення амплітуди )(rVst
r
D пов’язане зі зменшенням відстані між
напівпровідником та металом, а також зі зниженням концентрації вільних електронів
в металі.
Перехід від мікро- до нанотехнологій передбачає створення і використання нових
матеріалів та структур, властивості яких значно відрізняються від загальновідомих
завдяки зменшенню розмірів частинок (S < 100 нм) та відстаней між ними L < 5 нм.
Розмірні ефекти [1 – 3], посилення вкладу поверхонь та меж поділу призводять до
суттєвої зміни макроскопічно вимірних параметрів наноструктурованих систем [4, 5].
Однією з найважливіших теоретичних задач при переході від мікро- до нано-
розмірів та відстаней між частинками є встановлення залежності зміни властивостей
твердих тіл при зменшенні відстаней між ними. Відомо, що зменшення вакуумного
розділяючого інтервалу L між твердими тілами приводить до утворення потенціального
бар'єру, який визначається розподілом потенціалу сил зображення, ),(0 xV j та різницею в
об’ємних властивостях кожного з трьох середовищ )3 ,2 ,1( =j [6 – 11]. Форма
утвореного потенціального бар’єру буде змінюватись у випадку наявності
нескомпенсованих зарядів на поверхнях взаємодіючих частинок, які обумовлюють
зарядову компоненту )(xVsD повного потенціалу взаємодії, )(rV r , при умові, коли
густина заряду 1s та 2s між фазних границях
0
1
1
1 ¹=å
=
n
ss
i
i і 0
2
1
2 ¹=å
=
n
ss
n
n .
Це приводить до збільшення притягання (або відштовхування) між взаємодіючими
частинками в залежності від знаку та величини густини нескомпенсованого поверхнево-
го заряду [12 – 14]. Вклад структурного потенціалу, ),(rVst
r
D [12 – 14] в повний
44
потенціал взаємодії, )(rV r , збільшується при подальшому зменшенні розділяючої
відстані а також зумовлює виникнення рельєфу потенціалу всередині вакуумної щілини.
Структурна компонента, повного потенціалу взаємодії між двома близько
розділеними малим вакуумним проміжком діелектриками [12, 13] та металами [14] була
теоретично розрахована на основі методу функцій Гріна нелокального рівняння
Пуассона.
В даній роботі проведено обчислення структурного потенціалу в вакуумній
щілині L , якою розділені метал та напівпровідник. Відповідні розрахунки проведені в
наближенні нелокальної електростатики з врахуванням ефектів просторової дисперсії
функцій діелектричної проникності металу )(1 k
r
e та напівпровідника )(3 k
r
e , що
зумовлює неперервність потенціалу )(0 xV j на міжфазних границях.
Розглянуто випадок квазінейтральних поверхонь з двома типами упорядкованих
поверхневих граток 2, 21 =nn , коли сумарна густина заряду 2,1s на межах поділу
0
1
1
1 ==å
=
n
ss
i
i і 0
2
1
2 ==å
=
n
ss
n
n . (1)
Показано, що, як і у випадку двох близько розділених металів або діелектриків
[12 –14], врахування структурної компоненти потенціалу обумовлює латеральну (вздовж
меж поділу) зміну амплітуди сумарного потенціалу, )(2 xV , у вакуумній щілині.
Проведено аналіз впливу концентрації електронів в металі на амплітуду )(rVst
r
D в
вакуумній щілині.
Врахування просторової дисперсії діелектричної функції металу )(1 k
r
e проведено
із застосуванням загальновідомого довгохвильового наближення Томаса-Фермі (НТФ)
[6]. В НТФ діелектрична функція металу має вигляд
2
2
1
1 1)(
k
k
k
e +=
r
, { }k k q= ^ , , (2)
де 1
1
22
1 /6 FEnepk = , 1n – концентрація, 0
32
3 1
221 23 m/)n(E /
,F ph= – енергія Фермі, 0m –
ефективна маса вільних електронів в металі.
Просторова дисперсія діелектричної функції )(3 k
r
e власного напівпровідника
(діелектрика) достатньо точно передається інтерполяційною моделлю Інксона [13], в
якій
( )1)/(1
11)(
3
2
3
2
3
3 -×+
-
+=
el
ee
k
k r
r
, 222 qkk += ^
r
, (3)
де 3e - діелектрична стала кристалічної гратки (при 0®k
r
), 1
3
-l - ефективний радіус
екранування зв’язаними (валентними) електронами іонних остовів кристалічної гратки,
який по порядку величини рівний розміру атома (іона) і який обчислюється з
врахуванням зонної структури напівпровідника [10].
На рис. 1 суцільною кривою показаний хід потенціалу сил зображення та
відповідна зонна енергетична діаграма для системи метал – вакуум – кремній,
одержаний згідно роботи [6], при розділяючому вакуумному проміжку нм 4,0=L .
45
Рис. 1. Зонна енергетична діаграма несиметричної системи метал-вакуум-кремній та хід
потенціалу сил зображення V xj
0 ( ) в ній, порахований з об'ємними параметрами
для металу eВ 6,41 =j , 322
1 102 -×= cмn і 0 6913,0 mm = та кремнію 9,113 =e і
17
3 107,345 -×= cмl при товщині вакуумного зазору нм 4,0=L , де 1j – робота
виходу металу та 0m – маса вільного електрона.
З рис. 1 видно, що врахування залежності діелектричних функцій металу )(1 k
r
e
(2) та власного напівпровідника (кремній) )(3 k
r
e (3) від хвильового вектора забезпечує
неперервність потенціалу сил зображення, ),(0 xV j на границях фаз, відкриваючи
можливість коректного врахування зарядового стану кожної з двох поверхонь.
Врахування зарядового стану та мікроскопічної структури (конфігурації атомів)
металевої поверхні, виконано в припущенні, що густина заряду 1s на поверхні металу
( 0£x ) сформована впорядкованими гратками адсорбованих іонів (для спрощення
розрахунків розглянуто тільки квадратні гратки) з стороною гратки ia , двовимірною
концентрацією 2-= ii aN та ефективним зарядом *
ie на поверхневих атомах -i го типу.
Фур’є-компонента густини заряду )(1 qs на впорядкованих гратках поверхні металу
може бути представлена у вигляді [3 – 6]
å úû
ù
êë
é
÷
ø
öç
è
æ -÷
ø
öç
è
æ -+=å=
=
*
=
1
1
21
1
1 22()()()2()()(
nn
pdpdddpss
i iziyzyii
i
i aqaqqqNeqq , (4)
де 1n – кількість типів атомних граток на ній.
Мікроскопічну структуру напівпровідникової поверхні враховано, в наближенні,
згідно якого поверхнева густина заряду 2s на ній ( Lx ³ ) сформована також
впорядкованими гратками поверхневих атомів з стороною гратки nb , двовимірною
концентрацією 2-= nn bN та ефективним зарядом *
ne на поверхневих атомах -n го типу.
Переходячи до Фур’є-компоненти густини заряду )(2 qs на впорядкованих квадратних
гратках поверхневих атомів напівпровідника, маємо [3 – 6]
46
åå
=
*
=
úû
ù
êë
é
÷
ø
öç
è
æ -÷
ø
öç
è
æ -+==
22
1
2
1
2
22()()()2()()(
nn
pdpdddpss
n n
z
n
yzynn
n
n bqbqqqNeqq , (5)
де 2n – кількість типів атомних граток на напівпровідниковій поверхні.
Перший член в (4) і (5) відповідає однорідній (не модульованій) густині заряду на
металевій та напівпровідниковій поверхнях відповідно.
Незважаючи на те, що найпростіший вигляд формули структурної компоненти
)(rVst
r
D потенціалу взаємодії несиметричної по об’ємним властивостям метал-вакуум-
кремній системи мають для квазінейтральних поверхонь, тобто при виконанні умови
(1), вона має достатньо громіздкий вид і в роботі не наводиться.
З рис. 2, на якому показано розподіл структурної компоненти )0,0,(xVstD в
залежності від товщини вакуумної щілини між поверхнями металу та напівпровідника
(реконструйована поверхня кремнію )55()100( ´-Si ), розрахований з врахуванням
ефектів просторової дисперсії в діелектричних функціях металу (2) та напівпровідника
(3), видно, що вклад структурної компоненти повного потенціалу зменшується зі
збільшенням відстані L .
Рис. 2. Розподіл структурної компоненти )0,0,(xVstD потенціалу у вакуумному
проміжку різної товщини ( нм 1 ... 4,0=L ) між металом з об’ємними ( 6,41 =j еВ,
322
1 102 -×= cмn , 01 6913,0 mm = ) і поверхневими ( 05,01 =
*e , 215
1 10 -= cмN ,
45,02 -=*e , 214
2 1011,1 -×= cмN ) параметрами та кремнієм з об’ємними ( 9,111 =e ,
17
1 107,345 -×= cмl ) і поверхневими параметрами 02,01 =
*e , ,108,6 214
1
-×= cмN
5,02 -=*e , 213
2 1072,2 -×= cмN .
На рис. 3 показано розподіл повного потенціалу
)()()( 0 rVxVrV st
rr
D+= (6)
в вакуумній щілині при нм 4,0=L , розрахований з врахуванням ефектів просторової
дисперсії в металі та напівпровіднику. Аналогічний розподіл потенціалу сил зображення
V xj
0 ( ) , розрахований згідно даним робіт [6, 10], показано точковою кривою.
47
Рис. 3. Розподіл повного потенціалу )0,0,(xV – (суцільна крива) у вакуумній щілині
при нм 4,0=L між металом з об’ємними ( 6,41 =j еВ, 321
1 102 -×= cмn і
01 6315,0 mm = ) і поверхневими ( 05,01 =
*e , 215
1 10 -= cмN і 45,02 -=*e ,
214
2 1011,1 -×= cмN ) параметрами та кремнієм з об’ємними ( 9,111 =e ,
17
1 107,345 -×= cмl ) і поверхневими ( 02,01 =
*e , 214
1 108,6 -×= cмN , 5,02 -=*e ,
213
2 1072,2 -×= cмN ) параметрами. Точкова крива – розподіл потенціалу сил
зображення )(0
2 xV .
З наведеного рисунку видно, що врахування структурного потенціалу
)0,0,(xVstD не змінює форми відповідних кривих, але суттєво впливає на величину
потенціального бар’єру )(rV r .
Залежність структурного потенціалу, )0,0,(xVstD , від концентрації електронів в
металі, розрахована при незмінній роботі виходу eВ 6,41 =j наведена на рис. 4, анало-
гічна залежність амплітуди потенціалу )0,,2/( yLVstD в центрі вакуумної щілини
нм 4,0=L для несиметричної системи метал-вакуум-кремній показана на рис. 5.
Рис. 4 та 5 ілюструють, що амплітуда структурного потенціалу )(rVst
r
D суттєво
зменшується зі збільшенням концентрації електронів в металі.
Як і у випадку двох близько розділених діелектриків [12], металів [14] та напів-
провідників [13] зміна потенціалу )(rV r в вакуумній щілині для квазінейтральних
поверхонь обумовлена зміною поляризаційної компоненти )(0 xV (зміною потенціалу
сил зображення) та мікроскопічною структурою поверхонь. На рис. 6 показано розподіл
латерального повного потенціалу )0,,2/( yLV всередині вакуумного проміжку
нмL 2,02/ = (суцільна крива) між металом та кремнієм як суперпозицію вкладів від
атомних структур поверхні кремнію )0,,( yLV (штрихова крива) та металу )0,,0( yV
(точкова крива).
48
Рис. 4. Розподіл )0,0,(xVstD в вакуумній щілині нм 4,0=L між кремнієм з об’ємними
( 9,111 =e , і 17
1 107,345 -×= cмl ) та поверхневими ( 02,01 =
*e , 214
1 108,6 -×= cмN ,
5,02 -=*e , 213
2 1072,2 -×= cмN ) параметрами та металом з поверхневими
параметрами ( 05,01 =
*e , 215
1 10 -= cмN і 45,02 -=*e , 214
2 1011,1 -×= cмN ) в
залежності від електронної структури металу при eВ 6,41 =j та 321102 -×= смn ,
0 6315,0 mm =* (штрихова крива), 322102 -×= смn , 0 6913,0 mm =* (суцільна
крива) та 323102 -×= смn , 0 1116,1 mm =* (точкова крива).
Рис. 5. Латеральний розподіл структурного потенціалу )0,,2/( yLVstD в центрі вакуум-
ного проміжку нм 4,0=L між кремнієм та металом. Значення параметрів, що
були використані при розрахунку та відповідні позначення, наведені в підписі до
рис. 4.
49
Рис. 6. Латеральний розподіл повного потенціалу )0,,2/( yLV в центрі вакуумного про-
міжку нм 4,0=L (суцільна крива) між кремнієм та металом. Штрихова крива –
латеральний розподіл )0,,( yLV на поверхні кремнію ( Lx = ), точкова крива –
латеральний розподіл )0,,0( yV на поверхні металу ( 0=x ). Розрахунки
виконані при значеннях параметрів, що наведені в підпису до рис. 4.
Особливо наглядно виникнення надграток повного потенціалу )(rV r всередині
вакуумної щілини нм 4,0=L демонструє 3D розподіл структурного потенціалу
),,2/( zyLVstD , порахований з врахуванням ефектів просторової дисперсії в діалект-
ричних функціях металу )(1 k
r
e (2) та власного напівпровідника )(3 k
r
e (3) (рис. 7).
Рис. 7. Латеральний 3-D розподіл структурного потенціалу ),,2/( zyLVstD в центрі
вакуумного проміжку 2/Lx = між квазінейтральними поверхнями металу та
напівпровідника (реконструйована поверхня кремнію )55()100( ´-Si ),
розрахований в межах нелокальної електростатики з об’ємними та
поверхневими параметрами відповідно до рис. 4.
З наведених рисунків видно, що для несиметричної по об’ємним та поверхневим
характеристикам системи рельєф структурної компоненти потенціалу )0,,2/( yLVstD
50
всередині вакуумної щілини між поверхнею металу та напівпровідника, який є суперпо-
зицією вкладів мікроскопічної структури кожної з двох близько розділених поверхонь
(рис. 6), є несиметричним і призводить до виникнення впорядкованої гратки областей
максимального підвищення (пониження) висоти потенціального бар’єру.
Характеристики рельєфу залежать від параметрів кожної з поверхонь: від ефективного
заряду *
nie , на поверхневих атомах металу та напівпровідника, їх двохвимірної
концентрації niN , та типів поверхневих граток. Для малих розділяючих відстаней
13,0L K~ нм врахування структурної компоненти )(rVst
r
D зумовлює латеральну зміну
висоти потенціального бар’єру у всьому вакуумному проміжку.
Амплітуда структурного потенціалу )(rVst
r
D (і також повного потенціалу )(rV r
(6)) суттєво зменшується зі збільшенням концентрації електронів в металі (для
вироджених напівпровідників фактично зі збільшенням ступені об’ємного легування).
Має місце також швидке зменшення впливу мікроскопічної структури поверхонь на
повний потенціал )(rV r при збільшенні розділяючої відстані L , так що у випадку (1)
повний потенціал )(rV r при нм 2>L буде визначатися потенціалом сил зображення
)(0 xV (рис. 1).
Література
1. Litovchenko V.V., Il’chenko L.G., Kryvchenko Yu.V. Optimization of quantum well
structures for field emission applications // J. Vac. Sci. Technol. B. - 1995. - V. 13, № 2. -
P. 602 - 605.
2. Il’chenko L.G., Kryvchenko Yu.V., Litovchenko V.V. Electron field emission (FE) from
quantum size systems // Appl. Surface Sci. - 1995. - V. 87 – 88. - P. 53 - 60.
3. Горайчук Т.В., Ільченко Л.Г., Ільченко В.В. Розмірна залежність потенціалу сил
зображення поблизу тонкої металевої плівки з розмірно-квантованим спектром
електронів // Вісн. київськ. ун-ту. Радиофізика і електроніка. - 2000. - Вып. 2. - С.
29 – 33.
4. Нанотехнология в ближайшем десятилетии. Прогноз направления исследований /
Под ред. М.К. Роко, Р.С. Уильямса, П. Аливисатоса. - М.: Мир, 2002. - 292 с.
5. Химия поверхности кремнезема / Под ред. А.А. Чуйко - Киев: УкрИНТЭИ, 2001. -
Ч. 1. - 736 с.
6. Il’chenko L.G., Goraychuk T.V. Role of the image forces potential in the formation of the
potential barrier between closely spaced metals // Surf. Sci. – 2001. – V. 478. – P. 169 –
179.
7. Il’chenko L.G., Goraychuk T.V. Image potential between closely separated quantum size
film and metal // Ultramicroscopy. – 2003. – V. 95. – Р. 67 – 73.
8. Huang Z.-H., Weimer M., Allen R.E. Internal image potential in semiconductors: Effect on
scanning tunneling microscopy // Phys. Rev. B. – 1993. - V. 48, № 20. – P. 15068 –
15076.
9. Войтенко А.И., Габович А.М. Динамические силы изображения вблизи границ
раздела полупроводник-вакуум: роль квантовомеханических поправок // Физика
тверд. тела. – 2001. – V. 43, № 12. – C. 2230 – 2236.
10. Горайчук Т.В., Ільченко Л.Г. Сили зображення між близькорозділеними діелектри-
ками // Хімія, фізика та технологія поверхні. – 2003. – Вип. 9. – С. 11 – 17.
51
11. Ільченко Л.Г., Лобанов В.В., Чуйко О.О. Теоретичне визначення потенціалу
взаємодії між двома близько розділеними діелектриками у воді // Доп. НАН України.
– 2005. – Т. 1 – С. 76 – 81.
12. Ільченко Л.Г., Лобанов В.В., Чуйко О.О. Вплив мікроструктури поверхні на
потенціал взаємодії між наночастинками діелектриків // Наносистеми,
наноматеріали, нанотехнології. – 2004. – Т. 2, Вип. 4. – С. 1145 – 1158.
13. Ільченко Л.Г., Лобанов В.В., Чуйко О.О. Формування потенціального бар’єру між
двома близько розділеними металами з субмоношаровим адсорбційним покриттям //
Фізика і хімія твердого тіла. – 2005. – Т. 6, № 3 – С. 471 – 475.
14. Ильченко Л.Г., Лобанов В.В., Чуйко А.А. Роль микроструктуры поверхности в фор-
мировании потенциала взаимодействия между близкоразделенными вакуумным
промежутком неидентичными диэлектрическими (полупроводниковыми)
наночастицами // Химия, физика и технология поверхности. – 2006. – Вып. 11 – 12.
– C. 4 – 19.
ROLE OF SURFACE ATOMIC STRUCTURE IN FORMING A
POTENTIAL WITHIN VACUUM INTERVAL BETWEEN
NEARLY SEPARATED METAL AND SEMICONDUCTOR
L.G. Il’chenko, V.V. Lobanov
Chuiko Institute of Surface Chemistry of National Academy of Sciences of Ukraine
General Naumov Str. 17, 03164 Kyiv-164
With in the framework of a non-local electrostatics, the structure component )(rVst
r
D
has been calculated in the vacuum interval L between a metal and a semiconductor with the
quasi-neutral surfaces of two types of well-organized superficial lattices.
It has been shown that structural potential )(rVst
r
D , which is a superposition of the
microscopic structures of both surfaces, is asymmetrical and stipulates a lateral (along the
interfaces) change in the total potential barrier )(rV r in the vacuum gap. The increase )(rVst
r
D
(amplitudes) is related to decrease in the distance L between semiconductor and metal as well
as with decrease in the free electrons concentration in the metal.
|
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-253 |
| institution | Surface |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-12T17:07:06Z |
| publishDate | 2008 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| resource_txt_mv | surfacezbircomua/8c/f561ae76121294bfb814f53e03ceab8c.pdf |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-2532018-11-27T09:40:34Z Role of surface atomic structure in forming a potential within vacuum interval between nearly separated metal and semiconductor Role of surface atomic structure in forming a potential within vacuum interval between nearly separated metal and semiconductor Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником Il'chenko, L. G. Lobanov, V. V. With in the framework of a non-local electrostatics, the structure component ∆Vst(r)&nbsp;has been calculated in the vacuum interval &nbsp;between a metal and a semiconductor with the quasi-neutral surfaces of two types of well-organized superficial lattices. It has been shown that structural potential ∆Vst(r), which is a superposition of the microscopic structures of both surfaces, is asymmetrical and stipulates a lateral (along the interfaces) change in the total potential barrier V(r)&nbsp;in the vacuum gap. The increase ∆Vst(r)&nbsp;(amplitudes) is related to decrease in the distance &nbsp;between semiconductor and metal as well as with decrease in the free electrons concentration in the metal. With in the framework of a non-local electrostatics, the structure component ∆Vst(r)&nbsp;has been calculated in the vacuum interval &nbsp;between a metal and a semiconductor with the quasi-neutral surfaces of two types of well-organized superficial lattices. It has been shown that structural potential ∆Vst(r), which is a superposition of the microscopic structures of both surfaces, is asymmetrical and stipulates a lateral (along the interfaces) change in the total potential barrier V(r)&nbsp;in the vacuum gap. The increase ∆Vst(r)&nbsp;(amplitudes) is related to decrease in the distance &nbsp;between semiconductor and metal as well as with decrease in the free electrons concentration in the metal. В наближенні нелокальної електростатики проведено розрахунки структурного потенціалу ∆Vst(r)&nbsp;в вакуумній щілині товщиною , якою розділені метал та напівпровідник, у випадку квазінейтральних їх поверхонь з двома типами впорядкованих поверхневих граток. Показано, що структурний потенціал ∆Vst(r), який є суперпозицією вкладів, обумовлених мікроскопічними структурами кожної з двох поверхонь, є несиметричним і формує латеральну (вздовж меж поділу) зміну сумарного потенціалу V(r)&nbsp;у вакуумній щілині. Збільшення амплітуди ∆Vst(r)&nbsp;пов’язане зі зменшенням відстані між напівпровідником та металом, а також зі зниженням концентрації вільних електронів в металі. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2008-07-30 Article Article application/pdf https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/253 Surface; No. 14 (2008): Chemistry, Physics and Technology of Surface; 43-51 Поверхность; № 14 (2008): Химия, физика и технология поверхности; 43-51 Поверхня; № 14 (2008): Хімія, фізика та технологія поверхні; 43-51 3154-8091 3154-8083 uk https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/253/251 Авторське право (c) 2008 L.G. Il’chenko, V.V. Lobanov |
| spellingShingle | Il'chenko, L. G. Lobanov, V. V. Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| title | Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| title_alt | Role of surface atomic structure in forming a potential within vacuum interval between nearly separated metal and semiconductor Role of surface atomic structure in forming a potential within vacuum interval between nearly separated metal and semiconductor |
| title_full | Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| title_fullStr | Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| title_full_unstemmed | Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| title_short | Роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| title_sort | роль атомної структури поверхонь у формуванні потенціалу у вакуумному проміжку між близькорозділеними металом та напівпровідником |
| url | https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/253 |
| work_keys_str_mv | AT ilchenkolg roleofsurfaceatomicstructureinformingapotentialwithinvacuumintervalbetweennearlyseparatedmetalandsemiconductor AT lobanovvv roleofsurfaceatomicstructureinformingapotentialwithinvacuumintervalbetweennearlyseparatedmetalandsemiconductor AT ilchenkolg rolʹatomnoístrukturipoverhonʹuformuvannípotencíaluuvakuumnomupromížkumížblizʹkorozdílenimimetalomtanapívprovídnikom AT lobanovvv rolʹatomnoístrukturipoverhonʹuformuvannípotencíaluuvakuumnomupromížkumížblizʹkorozdílenimimetalomtanapívprovídnikom |