Напруженість електростатичного поля в околі неоднорідностей на поверхні поруватого силіцію
Equilibrium spatial structure of the Si89(OH)43H*36 cluster model simulated for a pyramid-like formation on porous silicon surface has been calculated within the frameworks of density functional theory method with 6-31G** basis set. The electron charge and electrostatic field distribution have been...
Saved in:
| Date: | 2010 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2010
|
| Online Access: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/28 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Institution
Chemistry, Physics and Technology of Surface| _version_ | 1856543740791881728 |
|---|---|
| author | Terebinska, M. I. Lobanov, V. V. Grebenyuk, A. G. |
| author_facet | Terebinska, M. I. Lobanov, V. V. Grebenyuk, A. G. |
| author_sort | Terebinska, M. I. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-06-29T10:24:39Z |
| description | Equilibrium spatial structure of the Si89(OH)43H*36 cluster model simulated for a pyramid-like formation on porous silicon surface has been calculated within the frameworks of density functional theory method with 6-31G** basis set. The electron charge and electrostatic field distribution have been evaluated in the vicinity of such a formation. The electrostatic field tensity has been found to be great enough to ionize adsorbed organic molecules. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:29:57Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-28 |
| institution | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-17T12:06:30Z |
| publishDate | 2010 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-282022-06-29T10:24:39Z Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface Напряженность электростатического поля вблизи неоднородностей на поверхности пористого кремния Напруженість електростатичного поля в околі неоднорідностей на поверхні поруватого силіцію Terebinska, M. I. Lobanov, V. V. Grebenyuk, A. G. Equilibrium spatial structure of the Si89(OH)43H*36 cluster model simulated for a pyramid-like formation on porous silicon surface has been calculated within the frameworks of density functional theory method with 6-31G** basis set. The electron charge and electrostatic field distribution have been evaluated in the vicinity of such a formation. The electrostatic field tensity has been found to be great enough to ionize adsorbed organic molecules. етодом функционала электронной плотности с использованием базисного набора 6?31 G** рассчитано равновесное пространственное строение кластерной модели состава Si89(OH)43H*36 для пирамидального образования на поверхности пористого кремния. Получено распределение электронного заряда и электростатического поля вблизи такого образования. Обнаружено, что напряженность электростатического поля достаточна для ионизации адсорбированных органических молекул. Методом функціоналу електронної густини з використанням базисного набору 6-31 G** розраховано рівноважну просторову будову кластерної моделі складу Si89(OH)43H*36 для пірамідального утворення на поверхні поруватого силіцію. Одержано розподіл електронного заряду та електростатичного поля в околі такого утворення. Виявлено, що напруженість електростатичного поля достатня для іонізації адсорбованих органічних молекул. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2010-08-01 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/28 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 1 No. 3 (2010): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 235-237 Химия, физика и технология поверхности; Том 1 № 3 (2010): Химия, физика и технология поверхности; 235-237 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 1 № 3 (2010): Хімія, фізика та технологія поверхні; 235-237 2518-1238 2079-1704 en https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/28/25 Copyright (c) 2010 M. I. Terebinska, V. V. Lobanov, A. G. Grebenyuk |
| spellingShingle | Terebinska, M. I. Lobanov, V. V. Grebenyuk, A. G. Напруженість електростатичного поля в околі неоднорідностей на поверхні поруватого силіцію |
| title | Напруженість електростатичного поля в околі неоднорідностей на поверхні поруватого силіцію |
| title_alt | Electrostatic Field Tensities near Irregularities of Porous Silicon Surface Напряженность электростатического поля вблизи неоднородностей на поверхности пористого кремния |
| title_full | Напруженість електростатичного поля в околі неоднорідностей на поверхні поруватого силіцію |
| title_fullStr | Напруженість електростатичного поля в околі неоднорідностей на поверхні поруватого силіцію |
| title_full_unstemmed | Напруженість електростатичного поля в околі неоднорідностей на поверхні поруватого силіцію |
| title_short | Напруженість електростатичного поля в околі неоднорідностей на поверхні поруватого силіцію |
| title_sort | напруженість електростатичного поля в околі неоднорідностей на поверхні поруватого силіцію |
| url | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/28 |
| work_keys_str_mv | AT terebinskami electrostaticfieldtensitiesnearirregularitiesofporoussiliconsurface AT lobanovvv electrostaticfieldtensitiesnearirregularitiesofporoussiliconsurface AT grebenyukag electrostaticfieldtensitiesnearirregularitiesofporoussiliconsurface AT terebinskami naprâžennostʹélektrostatičeskogopolâvblizineodnorodnostejnapoverhnostiporistogokremniâ AT lobanovvv naprâžennostʹélektrostatičeskogopolâvblizineodnorodnostejnapoverhnostiporistogokremniâ AT grebenyukag naprâžennostʹélektrostatičeskogopolâvblizineodnorodnostejnapoverhnostiporistogokremniâ AT terebinskami napruženístʹelektrostatičnogopolâvokolíneodnorídnostejnapoverhníporuvatogosilícíû AT lobanovvv napruženístʹelektrostatičnogopolâvokolíneodnorídnostejnapoverhníporuvatogosilícíû AT grebenyukag napruženístʹelektrostatičnogopolâvokolíneodnorídnostejnapoverhníporuvatogosilícíû |