Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
The paper presents the results of structural investigations of In4Se3 layered chainlike semiconductor crystals by X-ray diffraction and their (100) cleavage surfaces studies by low energy electron diffraction (LEED). It has been shown that the (100) In4Se3 cleavage surface is structurally stable and...
Saved in:
| Date: | 2014 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2014
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/285 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Institution
Chemistry, Physics and Technology of Surface| _version_ | 1856543849585836032 |
|---|---|
| author | Galiy, P. V. |
| author_facet | Galiy, P. V. |
| author_sort | Galiy, P. V. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-06-29T10:17:56Z |
| description | The paper presents the results of structural investigations of In4Se3 layered chainlike semiconductor crystals by X-ray diffraction and their (100) cleavage surfaces studies by low energy electron diffraction (LEED). It has been shown that the (100) In4Se3 cleavage surface is structurally stable and does not undergo atomic reconstruction in a wide temperature range of 77–295 K. The constants of two-dimensional lattice on (100) cleavage plane surfaces of orthorhombic layered In4Se3 crystals were evaluated with application of diffraction patterns. Calculated surface lattice constants b = 11.475 ? and c = 3.734 ? agree, within the error limits, with their values obtained by X-diffraction (b = 12.308(1) ? and c = 4.0810(5) ?), indicating the adequacy of the model used to calculate the lattice constants of cleavage (100) surfaces of In4Se3 from the LEED results. Thereby, it is shown that (100) In4Se3surfaces are structurally stable with respect to the surface lattice symmetry they and do not undergo thermal atomic reconstruction, and surface lattice constants are slightly variable in a wide temperature range of 77–295 K within the temperature elongation limits. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:31:46Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-285 |
| institution | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-17T12:07:18Z |
| publishDate | 2014 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-2852022-06-29T10:17:56Z The pecularities of (100) cleavage surface crystallography of In4Se3 layered semiconductor crystals Особенности кристаллографии поверхностей скалывания (100) слоистых полупроводниковых кристаллов In4Se3 Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 Galiy, P. V. layered chainlike semiconductor crystals (100) In4Se3 cleavage surface structural studies слоисто-цепочные полупроводниковые кристаллы поверхности скалывания (100) In4Se3 структурные исследования шарувато-ланцюжкові напівпровідникові кристали поверхня сколювання (100) In4Se3 структурні дослідження The paper presents the results of structural investigations of In4Se3 layered chainlike semiconductor crystals by X-ray diffraction and their (100) cleavage surfaces studies by low energy electron diffraction (LEED). It has been shown that the (100) In4Se3 cleavage surface is structurally stable and does not undergo atomic reconstruction in a wide temperature range of 77–295 K. The constants of two-dimensional lattice on (100) cleavage plane surfaces of orthorhombic layered In4Se3 crystals were evaluated with application of diffraction patterns. Calculated surface lattice constants b = 11.475 ? and c = 3.734 ? agree, within the error limits, with their values obtained by X-diffraction (b = 12.308(1) ? and c = 4.0810(5) ?), indicating the adequacy of the model used to calculate the lattice constants of cleavage (100) surfaces of In4Se3 from the LEED results. Thereby, it is shown that (100) In4Se3surfaces are structurally stable with respect to the surface lattice symmetry they and do not undergo thermal atomic reconstruction, and surface lattice constants are slightly variable in a wide temperature range of 77–295 K within the temperature elongation limits. Представлены результаты структурных исследований слоисто-цепочечных полупроводниковых кристаллов In4Se3 методом рентгеновской дифрактометрии и их поверхностей скалывания (100) методом дифракции медленных электронов. Показано, что поверхности скалывания (100) In4Se3 являются структурно стабильными и не претерпевают атомной реконструкции в широком температурном диапазоне 77–295 K. Проведена оценка постоянных двухмерной решетки, находящейся в плоскости поверхности (100) слоистых орторомбических кристаллов In4Se3, по дифракционным картинам. Рассчитаны постоянные поверхностных решеток b = 11.475 ? и c = 3.734 ?, которые совпадают, в пределах ошибок, с их значениями, полученными методом рентгеновской дифрактометрии (b = 12.308(1) ? и c = 4.0810(5) ?), что указывает на адекватность использованной модели для расчета постоянных решетки поверхностей скалывания (100) In4Se3 по результатам ДМЭ. Тем самым показано, что поверхности скалывания (100) In4Se3 структурно стабильны относительно симметрии поверхностной решетки и не претерпевают температурной атомной реконструкции, а постоянные поверхностной решетки остаются слабоизменяемыми в температурном диапазоне 77–295 K в пределах температурного удлинения. Наведено результати структурних досліджень шарувато-ланцюжкових напівпровідникових кристалів In4Se3методом Х-променевої дифрактометрії та їх поверхонь сколювання (100) методом дифракції повільних електронів (ДПЕ). Показано, що поверхні сколювання (100) In4Se3 є структурно стабільними і не зазнають атомної реконструкції у широкому температурному діапазоні 77–295 K. Проведена оцінка сталих двовимірної ґратки, що знаходяться у площині поверхонь сколювання (100) шаруватих орторомбічних кристалів In4Se3,, за дифракційними картинами. Одержані результати розрахунків сталих поверхневих ґраток b = 11.475 ? та c = 3.734 ? співпадають, у межах похибок, з їх значеннями, одержаними методом X-дифрактометрії (b = 12.308(1) ? та c = 4.0810(5) ?), що вказує на адекватність використаної моделі для розрахунку сталих ґраток поверхонь сколювання (100) In4Se3 за результатами ДПЕ. Цим самим показано, що окрім того, що поверхні сколювання (100) In4Se3 є структурно стабільними щодо симетрії поверхневої ґратки, вони не зазнають температурної атомної реконструкції, і сталі поверхневої ґратки залишаються слабкозмінними у широкому температурному діапазоні 77–295 K у межах температурного видовження. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2014-08-01 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/285 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 5 No. 3 (2014): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 245-255 Химия, физика и технология поверхности; Том 5 № 3 (2014): Химия, физика и технология поверхности; 245-255 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 5 № 3 (2014): Хімія, фізика та технологія поверхні; 245-255 2518-1238 2079-1704 10.15407/hftp05.03 uk https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/285/282 Copyright (c) 2014 P. V. Galiy |
| spellingShingle | шарувато-ланцюжкові напівпровідникові кристали поверхня сколювання (100) In4Se3 структурні дослідження Galiy, P. V. Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 |
| title | Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 |
| title_alt | The pecularities of (100) cleavage surface crystallography of In4Se3 layered semiconductor crystals Особенности кристаллографии поверхностей скалывания (100) слоистых полупроводниковых кристаллов In4Se3 |
| title_full | Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 |
| title_fullStr | Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 |
| title_full_unstemmed | Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 |
| title_short | Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3 |
| title_sort | особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів in4se3 |
| topic | шарувато-ланцюжкові напівпровідникові кристали поверхня сколювання (100) In4Se3 структурні дослідження |
| topic_facet | layered chainlike semiconductor crystals (100) In4Se3 cleavage surface structural studies слоисто-цепочные полупроводниковые кристаллы поверхности скалывания (100) In4Se3 структурные исследования шарувато-ланцюжкові напівпровідникові кристали поверхня сколювання (100) In4Se3 структурні дослідження |
| url | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/285 |
| work_keys_str_mv | AT galiypv thepecularitiesof100cleavagesurfacecrystallographyofin4se3layeredsemiconductorcrystals AT galiypv osobennostikristallografiipoverhnostejskalyvaniâ100sloistyhpoluprovodnikovyhkristallovin4se3 AT galiypv osoblivostíkristalografíípoverhonʹskolûvannâ100šaruvatihnapívprovídnikovihkristalívin4se3 AT galiypv pecularitiesof100cleavagesurfacecrystallographyofin4se3layeredsemiconductorcrystals |