Лазерно-стимульовані процеси в напівпровідниках

• Datum: 2016
• Hauptverfasser: Gentsar, P. O., Levytskyi, S. M.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2016
• Schlagworte: Si; лазерне опромінення; спектри відбиття; спектри пропускання; ударна хвиля; температура поверхні; глибина плавлення; Ge1-хSix
• Online Zugang: https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/378
• Назва журналу: Chemistry, Physics and Technology of Surface

The laser-stimulated processes have been studied in semiconductors Si i SiGe after their irradiation as well as influence of these processes on the optical properties of irradiated crystals. The results are shown of optical reflection spectra of n-Si(100) single crystals in the range 0.2–1.7 microns...