Екситонні стани в напівпровідникових наносистемах
In nanoheterostructures promising for the implementation of effective sources of visible and near-infrared radiation, there are self-assembled structures with ZnSe nanoislands. To create new efficient optoelectronic devices on the basis of heterostructures of quantum dots (QDs) ZnSe it is necessary...
Gespeichert in:
| Datum: | 2016 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Pokutnyi, S. I., Gorbyk, P. P., Mahno, S. M., Prokopenko, S. L. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Russian |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2016
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/386 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Institution
Chemistry, Physics and Technology of SurfaceÄhnliche Einträge
-
Екситонні і екситонної квазімолекули стани в наносистемах напівпровідникових квантових точок
von: Pokutnyi, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Крайова люмінесценція кристалів селеніду цинку з домішками рідкоземельних елементів
von: Махній, Віктор Петрович, et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Тунелювання електронів в гетероструктурі германій/кремній з германієвими квантовими точками: теорія
von: Pokutnyi, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2021) -
Поверхневі шари ZnSe:Ca з дірковою провідністю
von: Makhniy, V., et al.
Veröffentlicht: (2019) -
Штучні атоми і молекули: сучасний стан і перспективи досліджень
von: Pokutnyi, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2015)