Релаксація розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнію
Relaxation of the excess minority carrier distribution in macroporous silicon structure was calculated using the finite difference method. The initial distribution of the excess minority carriers has two maxima after carrier generation by electromagnetic wavelength 0.95 ?m with small absorption dept...
Збережено в:
| Дата: | 2018 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/462 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Репозитарії
Chemistry, Physics and Technology of Surface| _version_ | 1856543899064991744 |
|---|---|
| author | Karachevtseva, L. A. Onyshchenko, V. F. |
| author_facet | Karachevtseva, L. A. Onyshchenko, V. F. |
| author_sort | Karachevtseva, L. A. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2022-06-29T10:04:16Z |
| description | Relaxation of the excess minority carrier distribution in macroporous silicon structure was calculated using the finite difference method. The initial distribution of the excess minority carriers has two maxima after carrier generation by electromagnetic wavelength 0.95 ?m with small absorption depth. The first maximum of the initial distribution function is in macroporous layer, the second one is in monocrystalline substrate. Surface recombination leads to the diffusion of excess charge carriers to recombination centers and creates the non-homogeneity of the excess charge carrier distribution. A rapid maximum decrease of the excess carrier distribution function in a macroporous layer and near the boundary of a macroporous layer and monocrystalline substrate is found. The slow decrease of the distribution function in a monocrystalline substrate is evaluated. We observed one maximum of the excess minority carrier distribution after homogeneous carrier generation by electromagnetic wavelength 1.05 ?m with big absorption depth. The rate of change in the concentration of excess minority carriers decreases in time in macroporous silicon layer due to high recombination and increases due to diffusion to the surface of silicon substrate after generation by the electromagnetic wave 0.95 ?m with small absorption depth. The rate of change in the concentration of excess minority carriers decreases in time in the entire structure after generation by the electromagnetic wave 1.05 ?m with big absorption depth and small non-homogeneity. |
| first_indexed | 2025-07-22T19:33:15Z |
| format | Article |
| id | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-462 |
| institution | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-17T12:07:53Z |
| publishDate | 2018 |
| publisher | Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:ojs.pkp.sfu.ca:article-4622022-06-29T10:04:16Z Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon Релаксация распределения избыточных неосновных носителей заряда в макропористом кремнии Релаксація розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнію Karachevtseva, L. A. Onyshchenko, V. F. relaxation carrier distribution macroporous silicon релаксація розподіл носіїв заряду макропористий кремній релаксация распределение носителей заряда макропористый кремний Relaxation of the excess minority carrier distribution in macroporous silicon structure was calculated using the finite difference method. The initial distribution of the excess minority carriers has two maxima after carrier generation by electromagnetic wavelength 0.95 ?m with small absorption depth. The first maximum of the initial distribution function is in macroporous layer, the second one is in monocrystalline substrate. Surface recombination leads to the diffusion of excess charge carriers to recombination centers and creates the non-homogeneity of the excess charge carrier distribution. A rapid maximum decrease of the excess carrier distribution function in a macroporous layer and near the boundary of a macroporous layer and monocrystalline substrate is found. The slow decrease of the distribution function in a monocrystalline substrate is evaluated. We observed one maximum of the excess minority carrier distribution after homogeneous carrier generation by electromagnetic wavelength 1.05 ?m with big absorption depth. The rate of change in the concentration of excess minority carriers decreases in time in macroporous silicon layer due to high recombination and increases due to diffusion to the surface of silicon substrate after generation by the electromagnetic wave 0.95 ?m with small absorption depth. The rate of change in the concentration of excess minority carriers decreases in time in the entire structure after generation by the electromagnetic wave 1.05 ?m with big absorption depth and small non-homogeneity. Релаксация распределения избыточных неосновных носителей заряда в структуре макропористого кремния была рассчитана методом конечных разностей. Первоначальное распределение избыточных неосновных носителей заряда имеет два максимума после генерации носителей заряда электромагнитной волной 0.95 мкм с малой глубиной поглощения. Первый максимум функции начального распределения находится в макропористом слое, второй – в монокристаллической подложке. Поверхностная рекомбинация приводит к диффузии избыточных носителей заряда к центрам рекомбинации и создает неоднородность распределения избыточных носителей заряда. Обнаружено быстрое уменьшение максимума функции распределения избыточных носителей заряда в макропористом слое и вблизи границы макропористого слоя и монокристаллической подложки. Выявлено медленное снижение функции распределения в монокристаллической подложке. После генерации фотоносителей электромагнитной волной 0.95 мкм с малой глубиной поглощения скорость изменения концентрации избыточных неосновных носителей заряда со временем уменьшается в слое макропористого кремния из-за высокой рекомбинации и увеличивается за счет их диффузии к поверхности кремниевой подложки. После однородной генерации носителей заряда электромагнитной волной 1.05 мкм с большой глубиной поглощения формируется один максимум распределения избыточных неосновных носителей заряда. При этом скорость изменения концентрации избыточных неосновных носителей заряда со временем уменьшается во всей структуре. Релаксація розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в структурі макропористого кремнію була розрахована методом кінцевих різниць. Початковий розподіл надлишкових неосновних носіїв заряду має два максимуми, після генерації носіїв заряду електромагнітної хвилею 0.95 мкм з малою глибиною поглинання. Перший максимум функції початкового розподілу знаходиться в макропористому шарі, другий - в монокристалічній підкладці. Поверхнева рекомбінація призводить до дифузії надлишкових носіїв заряду до центрів рекомбінації і створює неоднорідність їх розподілу. Виявлено швидке зменшення максимуму функції розподілу надлишкового носіїв заряду в макропористому шарі і поблизу межі між макропористим шаром і монокристалічною підкладкою. Виявлено повільне зниження функції розподілу в монокристалічній підкладці. Швидкість зміни концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду з часом зменшується в шарі макропористого кремнію через високу рекомбінацію і збільшується за рахунок дифузії носіїв заряду до поверхні кремнієвої підкладки. Після генерації фотоносіїв електромагнітною хвилею 0.95 мкм з малою глибиною поглинання, швидкість зміни концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду з часом зменшується в шарі макропористого кремнію через високу рекомбінацію і збільшується за рахунок їх дифузії до поверхні кремнієвої підкладки. Після однорідної генерації носіїв заряду електромагнітною хвилею 1.05 мкм з великою глибиною поглинання формується один максимум розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду. Водночас швидкість зміни концентрації надлишкових неосновних носіїв заряду з часом зменшується у всій структурі. Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2018-06-26 Article Article application/pdf https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/462 10.15407/hftp09.02.158 Chemistry, Physics and Technology of Surface; Vol. 9 No. 2 (2018): Chemistry, Physics and Technology of Surface / Himia, Fizika ta Tehnologia Poverhni; 158-166 Химия, физика и технология поверхности; Том 9 № 2 (2018): Химия, физика и технология поверхности; 158-166 Хімія, фізика та технологія поверхні; Том 9 № 2 (2018): Хімія, фізика та технологія поверхні; 158-166 2518-1238 2079-1704 10.15407/hftp09.02 en https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/462/463 Copyright (c) 2018 L. A. Karachevtseva, V. F. Onyshchenko |
| spellingShingle | релаксація розподіл носіїв заряду макропористий кремній Karachevtseva, L. A. Onyshchenko, V. F. Релаксація розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнію |
| title | Релаксація розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнію |
| title_alt | Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon Релаксация распределения избыточных неосновных носителей заряда в макропористом кремнии |
| title_full | Релаксація розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнію |
| title_fullStr | Релаксація розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнію |
| title_full_unstemmed | Релаксація розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнію |
| title_short | Релаксація розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнію |
| title_sort | релаксація розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнію |
| topic | релаксація розподіл носіїв заряду макропористий кремній |
| topic_facet | relaxation carrier distribution macroporous silicon релаксація розподіл носіїв заряду макропористий кремній релаксация распределение носителей заряда макропористый кремний |
| url | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/462 |
| work_keys_str_mv | AT karachevtsevala relaxationofexcessminoritycarrierdistributioninmacroporoussilicon AT onyshchenkovf relaxationofexcessminoritycarrierdistributioninmacroporoussilicon AT karachevtsevala relaksaciâraspredeleniâizbytočnyhneosnovnyhnositelejzarâdavmakroporistomkremnii AT onyshchenkovf relaksaciâraspredeleniâizbytočnyhneosnovnyhnositelejzarâdavmakroporistomkremnii AT karachevtsevala relaksacíârozpodílunadliškovihneosnovnihnosíívzarâduvmakroporistomukremníû AT onyshchenkovf relaksacíârozpodílunadliškovihneosnovnihnosíívzarâduvmakroporistomukremníû |