Metal-semiconductor phase transition in hydrated powders of VO2 as influenced by adsorbed water, polyethylene glycol medium, and tetraethylammonium bromide additives

• Дата: 2001
• Автори та афіліації: V. V. Turov — Інститут хімії поверхні НАН України; P. P. Gorbik — Інститут хімії поверхні НАН України; I. V. Laguta — Інститут хімії поверхні НАН України; O. V. Shulga — The University of Toledo; O. Yu. Semchuk — Інститут хімії поверхні НАН України; L. G. Grechko — Інститут хімії поверхні НАН України; V. M. Ogenko — Інститут хімії поверхні НАН України; A. A. Chuiko — Інститут хімії поверхні НАН України; M. Willander — Chalmers University of Technology and Göteborg University; M. Karlsteen — Chalmers University of Technology and Göteborg University
• Ключові слова: keywords
• Автори: Turov, V. V., Gorbik, P. P., Laguta, I. V., Shulga, O. V., Semchuk, O. Yu., Grechko, L. G., Ogenko, V. M., Chuiko, A. A., Willander, M., Karlsteen, M.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2001
• Онлайн доступ: https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/63
• Назва журналу: Surface

The opportunity of use of a 1H NMR method for study of the performances of phase transition the metal - semiconductor in crystalline VO2 is considered. The influence of the adsorbed water, polyethylene glycol medium and presence of the tetraethylammonium bromide additives on the phase transition per...