Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова

• Дата: 2022
• Автори: Suchikova, Y. O., Kovachov, S. S., Bardus, I. O., Lazarenko, A. S., Bohdanov, I. T.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2022
• Теми: карбід кремнію; механізм Странського – Крастанова; layer-plus-island модель росту; електрохімічне травлення; термічний відпал; поруваті шари; кристалічна ґратка
• Онлайн доступ: https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/648
• Назва журналу: Chemistry, Physics and Technology of Surface

We report the synthesis of ?-SiC/por-Si/mono-Si heterostructure by a hybrid method, consisting of the electrochemical etching of the single-crystal silicon surface with a subsequent carbidization by a thermal annealing in a methane atmosphere. This method has a number of advantages over the known on...