Buchumschlag

Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова

We report the synthesis of ?-SiC/por-Si/mono-Si heterostructure by a hybrid method, consisting of the electrochemical etching of the single-crystal silicon surface with a subsequent carbidization by a thermal annealing in a methane atmosphere. This method has a number of advantages over the known on...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2022
Hauptverfasser:	Suchikova, Y. O., Kovachov, S. S., Bardus, I. O., Lazarenko, A. S., Bohdanov, I. T.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2022
Schlagworte:	карбід кремнію механізм Странського – Крастанова layer-plus-island модель росту електрохімічне травлення термічний відпал поруваті шари кристалічна ґратка
Online Zugang:	https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/648
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Chemistry, Physics and Technology of Surface

Institution

Chemistry, Physics and Technology of Surface

Ähnliche Einträge

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
von: Kovachov, S. S., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism
von: Y. O. Suchikova, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
von: Kidalov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2024)

Obtaining and examination of heterostructure ZnO:Al/por-Si/Si
von: A. F. Diadenchuk, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Одержання та дослідження гетероструктури ZnO:Al/por-Si/Si
von: Dyadenchuk, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2020)

ВИЗНАЧЕННЯ ВПЛИВУ ТИСКУ (7,5 ГПа) НА КРИСТАЛІЧНУ БУДОВУ КАРБІДУ ВОЛЬФРАМУ, ЩО ВХОДИТЬ ДО СКЛАДУ ТВЕРДОГО СПЛАВУ WC - 6 % Cо
von: Гнатенко, І.О., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження
von: Dyadenchuk, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2018)

КРИСТАЛІЧНА СТРУКТУРА НОВОГО СИЛИЦИДУ Lu3Ni11,74(2)Si4
von: Belan, Bohdana, et al.
Veröffentlicht: (2020)

ОСОБЛИВОСТІ ФОРМУВАННЯ СТРУКТУРИ ТА ВЛАСТИВОСТЕЙ СЕРЕДНЬОЗЕРНИСТОГО ТВЕРДОГО СПЛАВУ З НІКЕЛЕВОЮ ЗВЯ’ЗКОЮ (92% WC + 8% Nі), СПЕЧЕНОГО У ВАКУУМІ ПРИ ТЕМПЕРАТУРІ 1350 ОС ПІД РІЗНИМИ ВЕЛИЧИНАМИ ЗОВНІШНЬОГО ОДНООСЬОВОГО СТИСКУ
von: Матвійчук, Олександр, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs
von: S. S. Kovachov, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Influence of SiOx-film deposited by thermal evaporation on the near-bandedge luminescence of mono-crystalline silicon
von: N. A. Vlasenko, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
von: V. V. Kidalov, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Numerical simulation of thermal behavior and optimization of a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si hit solar cell at high temperatures
von: Ganji, J.
Veröffentlicht: (2017)

NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL BEHAVIOR AND OPTIMIZATION OF a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si HIT SOLAR CELL AT HIGH TEMPERATURES
von: Ganji, Jabbar
Veröffentlicht: (2017)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
von: K. T. Dovranov, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
von: K. T. Dovranov, et al.
Veröffentlicht: (2024)

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals
von: Bratus, O.L., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
von: Dugaev, V.K., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Electron transport through nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanocrystals
von: O. L. Bratus, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Structure and mechanical stresses in TaSi₂/Si multilayer
von: Devizenko, A.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Electron states at the Si–SiO₂ boundary (Review)
von: Primachenko, V.E., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
von: Horvath, Zs.J., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Cryptographic Protection of Information Objects by Block Transformation of the System of Residual Classes to a Positional Number System
von: Mаtоv, О. Y., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Cryptographic Security of the Encryption Methods Based on Transformations Using Residual Classes
von: Mаtоv, О. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
von: Kozlovskyi, A.A., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
von: Комник, Ю.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур
von: Михайловская, Е.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures
von: E. V. Mikhajlovskaja, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Photocatalysis and optical properties of ZnO nanostructures grown by MOCVD on Si, Au/Si and Ag/Si wafers
von: V. A. Karpyna, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO2(Si) films under thermal and laser annealing
von: O. V. Steblova, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Межслоевое перемешивание в многослойных периодических композициях Mo/Si, MoSi₂/Si и Mo/C/Si/C при облучении ионами гелия
von: Пеньков, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2006)

ФІГУРИ РОЗЧИНЕННЯ НА КРИСТАЛАХ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗІВ, ОТРИМАНИХ В ОБЛАСТІ ТЕРМОДИНАМІЧНОЇ СТАБІЛЬНОСТІ.
von: Супрун, Олена, et al.
Veröffentlicht: (2023)

The effect of strain on the thermodynamic properties of Ge-Si, Ge-Sn, Si-Sn, Si-C thin solid films
von: Deibuk, V.G., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Nickel-induced enhancement of photoluminescence in nc-Si–SiOx nanostructures
von: Michailovska, K.V., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Effect of macrostructure on the thermoelectric properties of biomorphous SiC/Si ceramics
von: Kiselov, V.S., et al.
Veröffentlicht: (2009)