Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова
We report the synthesis of ?-SiC/por-Si/mono-Si heterostructure by a hybrid method, consisting of the electrochemical etching of the single-crystal silicon surface with a subsequent carbidization by a thermal annealing in a methane atmosphere. This method has a number of advantages over the known on...
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| Datum: | 2022 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Suchikova, Y. O., Kovachov, S. S., Bardus, I. O., Lazarenko, A. S., Bohdanov, I. T. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2022
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/648 |
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| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Institution
Chemistry, Physics and Technology of SurfaceÄhnliche Einträge
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