Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова
We report the synthesis of ?-SiC/por-Si/mono-Si heterostructure by a hybrid method, consisting of the electrochemical etching of the single-crystal silicon surface with a subsequent carbidization by a thermal annealing in a methane atmosphere. This method has a number of advantages over the known on...
Збережено в:
| Дата: | 2022 |
|---|---|
| Автори: | Suchikova, Y. O., Kovachov, S. S., Bardus, I. O., Lazarenko, A. S., Bohdanov, I. T. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine
2022
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/648 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Chemistry, Physics and Technology of Surface |
Репозитарії
Chemistry, Physics and Technology of SurfaceСхожі ресурси
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)
Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism
за авторством: Y. O. Suchikova, та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Y. O. Suchikova, та інші
Опубліковано: (2022)
Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)
Obtaining and examination of heterostructure ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2020)
Одержання та дослідження гетероструктури ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2020)
Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2018)
Теоретичне вивчення лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx
за авторством: Gavrylyuk, O. O.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Gavrylyuk, O. O.
Опубліковано: (2014)
Теоретичні розрахунки поширення температурного поля в кремнієвих періодичних структурах під час термічного відпалу
за авторством: Havryliuk, O. O., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Havryliuk, O. O., та інші
Опубліковано: (2017)
КРИСТАЛІЧНА СТРУКТУРА НОВОГО СИЛИЦИДУ Lu3Ni11,74(2)Si4
за авторством: Belan, Bohdana, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Belan, Bohdana, та інші
Опубліковано: (2020)
Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Study on phase characteristics of heterostructure por-Ga2O3/GaAs
за авторством: S. S. Kovachov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: S. S. Kovachov, та інші
Опубліковано: (2024)
Пружнi деформацiї в SiGe-гетероструктурах з квантовими точками неоднорiдного складу
за авторством: Kuryliuk, V. V.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Kuryliuk, V. V.
Опубліковано: (2018)
Influence of SiOx-film deposited by thermal evaporation on the near-bandedge luminescence of mono-crystalline silicon
за авторством: N. A. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: N. A. Vlasenko, та інші
Опубліковано: (2010)
Investigation of SiC films obtained on a porous-Si/Si substrate
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: V. V. Kidalov, та інші
Опубліковано: (2024)
Структура чистих Si−Si, Ge−Ge та змішаних аддимерів Si−Ge на поверхні Si(001)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Afanasieva, T.V., та інші
Опубліковано: (2022)
Cryptographic Protection of Information Objects by Block Transformation of the System of Residual Classes to a Positional Number System
за авторством: Mаtоv, О. Y., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Mаtоv, О. Y., та інші
Опубліковано: (2012)
Cryptographic Security of the Encryption Methods Based on Transformations Using Residual Classes
за авторством: Mаtоv, О. Ya., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Mаtоv, О. Ya., та інші
Опубліковано: (2012)
NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL BEHAVIOR AND OPTIMIZATION OF a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si HIT SOLAR CELL AT HIGH TEMPERATURES
за авторством: Ganji, Jabbar
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ganji, Jabbar
Опубліковано: (2017)
Numerical simulation of thermal behavior and optimization of a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si hit solar cell at high temperatures
за авторством: Ganji, J.
Опубліковано: (2017)
за авторством: Ganji, J.
Опубліковано: (2017)
Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)
Formation of Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111), and CoSi2/Si(111) thin film and evaluation of their optically direct and indirect band gap
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: K. T. Dovranov, та інші
Опубліковано: (2024)
Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Bratus, O.L., та інші
Опубліковано: (2016)
Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Konakova, R.V., та інші
Опубліковано: (2009)
Piezoelectric effect in p -Si/SiGe/(001)Si modulation doped heterostructures
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Dugaev, V.K., та інші
Опубліковано: (2000)
ФІГУРИ РОЗЧИНЕННЯ НА КРИСТАЛАХ МОНОКРИСТАЛІВ АЛМАЗІВ, ОТРИМАНИХ В ОБЛАСТІ ТЕРМОДИНАМІЧНОЇ СТАБІЛЬНОСТІ.
за авторством: Супрун, Олена, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Супрун, Олена, та інші
Опубліковано: (2023)
Electron transport through nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanocrystals
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: O. L. Bratus, та інші
Опубліковано: (2016)
Electron states at the Si–SiO₂ boundary (Review)
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Primachenko, V.E., та інші
Опубліковано: (2005)
Structure and mechanical stresses in TaSi₂/Si multilayer
за авторством: Devizenko, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Devizenko, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
Thin film Si:Eu and Si:Y composites
за авторством: Koval, V.M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Koval, V.M., та інші
Опубліковано: (2010)
Effect of dislocations in relaxed MBE SiGe layers on the electrical behavior of Si/SiGe heterostructures
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Horvath, Zs.J., та інші
Опубліковано: (2004)
Transformation of SiOx films into nanocomposite SiO₂(Si) films under thermal and laser annealing
за авторством: Steblova, O.V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Steblova, O.V., та інші
Опубліковано: (2014)
Виготовлення тонких плівок з Mn4Si7/Si(111), CrSi2/Si(111) та CoSi2/Si(111) і оцінка їхніх оптично прямих та непрямих заборонених зон
за авторством: Dovranov, K.T., та інші
Опубліковано: (2024)
за авторством: Dovranov, K.T., та інші
Опубліковано: (2024)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)
Kinetic of photoluminescence of porous nc-Si–SiOx structures
за авторством: E. V. Mikhajlovskaja, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: E. V. Mikhajlovskaja, та інші
Опубліковано: (2012)
Квантовые эффекты в дырочных Si/SiGe гетеропереходах
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Комник, Ю.Ф., та інші
Опубліковано: (2000)
Photovoltaic effect in p–SiC/p–Si heterojunction
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Kozlovskyi, A.A., та інші
Опубліковано: (2013)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Effect of Si infiltration method on the properties of biomorphous SiC
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kiselov, V.S., та інші
Опубліковано: (2009)
Кинетика фотолюминесценции пористых nc-Si–SiOx-структур
за авторством: Михайловская, Е.В., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Михайловская, Е.В., та інші
Опубліковано: (2012)
Photocatalysis and optical properties of ZnO nanostructures grown by MOCVD on Si, Au/Si and Ag/Si wafers
за авторством: V. A. Karpyna, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: V. A. Karpyna, та інші
Опубліковано: (2023)
Схожі ресурси
-
Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024) -
Formation of β-SiC on por-Si/mono-Si surface according to Stranski - Krastanow mechanism
за авторством: Y. O. Suchikova, та інші
Опубліковано: (2022) -
Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024) -
Obtaining and examination of heterostructure ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: A. F. Diadenchuk, та інші
Опубліковано: (2020) -
Одержання та дослідження гетероструктури ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2020)