Зображення обкладинки

Формування ?-SiC на поверхні por-Si/mono-Si за механізмом Странського – Крастанова

We report the synthesis of ?-SiC/por-Si/mono-Si heterostructure by a hybrid method, consisting of the electrochemical etching of the single-crystal silicon surface with a subsequent carbidization by a thermal annealing in a methane atmosphere. This method has a number of advantages over the known on...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2022
Автори:	Suchikova, Y. O., Kovachov, S. S., Bardus, I. O., Lazarenko, A. S., Bohdanov, I. T.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2022
Теми:	карбід кремнію механізм Странського – Крастанова layer-plus-island модель росту електрохімічне травлення термічний відпал поруваті шари кристалічна ґратка
Онлайн доступ:	https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/648
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Chemistry, Physics and Technology of Surface

Репозитарії

Chemistry, Physics and Technology of Surface

Схожі ресурси

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)

Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si
за авторством: Kidalov, V. V., та інші
Опубліковано: (2024)

Плівки CdS на поруватих підкладках Si, одержані методом хімічного поверхневого осадження
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2018)

Одержання та дослідження гетероструктури ZnO:Al/por-Si/Si
за авторством: Dyadenchuk, A. F., та інші
Опубліковано: (2020)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
за авторством: Ковбаса, С.М., та інші
Опубліковано: (2025)

NUMERICAL SIMULATION OF THERMAL BEHAVIOR AND OPTIMIZATION OF a-Si/a-Si/C-Si/a-Si/A-Si HIT SOLAR CELL AT HIGH TEMPERATURES
за авторством: Ganji, Jabbar
Опубліковано: (2017)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)

Cryptographic Protection of Information Objects by Block Transformation of the System of Residual Classes to a Positional Number System
за авторством: Mаtоv, О. Y., та інші
Опубліковано: (2012)

Cryptographic Security of the Encryption Methods Based on Transformations Using Residual Classes
за авторством: Mаtоv, О. Ya., та інші
Опубліковано: (2012)

Фотокаталіз та оптичні властивості наноструктур ZnO, вирощених на пластинах Si, Au/Si та Ag/Si методом MOCVD
за авторством: Karpyna, V. A., та інші
Опубліковано: (2023)

ВИЗНАЧЕННЯ ВПЛИВУ ТИСКУ (7,5 ГПа) НА КРИСТАЛІЧНУ БУДОВУ КАРБІДУ ВОЛЬФРАМУ, ЩО ВХОДИТЬ ДО СКЛАДУ ТВЕРДОГО СПЛАВУ WC - 6 % Cо
за авторством: Гнатенко, І.О., та інші
Опубліковано: (2020)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2015)

Фотолюминесцентный метод исследования пластической деформации на границе раздела «SiO2–Si»
за авторством: Kulinich, О. А., та інші
Опубліковано: (2012)

Вплив електронного опромінення на оптичні властивості плівок нанокристалічного SiC на підкладках із монокристала Al2O3
за авторством: Semenov, O. V., та інші
Опубліковано: (2017)

ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРИЧНОГО ОПОРУ І ПОГЛИНАННЯ МІКРОХВИЛЬОВОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ В КОМПОЗИТАХ AlN–SiC З ВИСОКИМ ВМІСТОМ КАРБІДУ КРЕМНІЮ
за авторством: Часник, Василь, та інші
Опубліковано: (2023)

Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
за авторством: Chasnyk, V. I., та інші
Опубліковано: (2014)

GALINDEZ ISLAND – PHYSIOGRAPHIC AND GEOLOGICAL SURVEY
за авторством: Митрохин, О.В.
Опубліковано: (2025)

Дослідження взаємодії еритроцитів з пірогенними оксидами SiO2, Al2O3/SiO2 та TiO2/SiO2 шляхом вимірювання параметрів світлорозсіювання
за авторством: Gerashchenko, I. I., та інші
Опубліковано: (2010)

ІННОВАЦІЙНИЙ МЕТОД ЗАКРІПЛЕННЯ АЛМАЗНИХ ЗЕРЕН ДЛЯ УДОСКОНАЛЕННЯ ВИРОБНИЦТВА АЛМАЗНО-АБРАЗИВНИХ ІНСТРУМЕНТІВ
за авторством: Pashchenko, Evgen О., та інші
Опубліковано: (2022)

Темплатний синтез наноструктур оксиду цинку
за авторством: Dubrovin, I. V., та інші
Опубліковано: (2015)

ОСОБЛИВОСТІ ФОРМУВАННЯ СТРУКТУРИ ТА ВЛАСТИВОСТЕЙ СЕРЕДНЬОЗЕРНИСТОГО ТВЕРДОГО СПЛАВУ З НІКЕЛЕВОЮ ЗВЯ’ЗКОЮ (92% WC + 8% Nі), СПЕЧЕНОГО У ВАКУУМІ ПРИ ТЕМПЕРАТУРІ 1350 ОС ПІД РІЗНИМИ ВЕЛИЧИНАМИ ЗОВНІШНЬОГО ОДНООСЬОВОГО СТИСКУ
за авторством: Матвійчук, Олександр, та інші
Опубліковано: (2023)

Теоретичне вивчення лазерного відпалу нестехіометричних плівок SiOx
за авторством: Gavrylyuk, O. O.
Опубліковано: (2014)

Вплив вмісту металів на структурні характеристики неорганічних нанокомпозитів MxOy/SiO2 та C/MxOy/SiO2
за авторством: Bogatyrev, V. M., та інші
Опубліковано: (2011)

Будова гідратного шару поверхні композитних систем SiO2/ДНК(Dox) і SiO2/ДНК(Dox)/фуллерен С60
за авторством: Turov, V. V., та інші
Опубліковано: (2011)

LaNi9Si4: CRYSTAL STRUCTURE AND ELECTRICAL PROPERTIES
за авторством: Belan, Bohdana, та інші
Опубліковано: (2023)

Fundamental Physical Constants and their Stability, Transition to New Definitions of the SI Units
за авторством: Melnikov, V. N., та інші
Опубліковано: (2012)

Газочувствительные элементы на основе пленок SiPcCl2
за авторством: Alieva, Kh. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Розташування атомів Al та Si у заміщеному карбіді бору
за авторством: Garbuz, V. V., та інші
Опубліковано: (2023)

Velocity section of the upper mantle under the island arcs of the northern and western outlying parts of the Pacific Ocean
за авторством: Gordienko, V., та інші
Опубліковано: (2015)

Малошумящие усилители на основе SiGe-HBT для сверхширокополосных систем
за авторством: Popov, V. P., та інші
Опубліковано: (2013)

Квантовохімічний розрахунок 29Si ЯМР-спектрів фулереноподібних молекул діоксиду кремнію
за авторством: Filonenko, O. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Механізм диспергування MoO3 на поверхні SiO2
за авторством: Nasiedkin, D.B., та інші
Опубліковано: (2025)

Аналіз структурно–хімічного стану дуплекс–систем силікати–силіциди лужно–земельних металів. Повідомлення 2. Дуплекс–система SiO2–MgO–CaO: Si–Mg–Ca
за авторством: Бєлов, Б. Ф., та інші
Опубліковано: (2023)

Вольт-амперні характеристики діодів Шотткі на основі гетероструктури графен/n-Si
за авторством: Koziarskyi, Ivan, та інші
Опубліковано: (2023)

Утворення дефектів на поверхні Si-підкладок в процесі термічного напилення золота
за авторством: Kukurudziak, Mykola, та інші
Опубліковано: (2023)

Особливості фото-ерс нанокластерних структур Ge, утворених на оксидованій поверхні Si
за авторством: Kozyrev, Yu. M., та інші
Опубліковано: (2011)

Стан води на межі фаз композиту «SiO2 / скловидне тіло»
за авторством: Turov, V. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Osteopontin siRNA does not confer resistance to toxic effects of parthenolide in Jurkat cells
за авторством: Mehri, S., та інші
Опубліковано: (2023)

ELECTROCHEMICAL SYNTHESIS AND CHARACTERIZATION OF Tа2Si OBTAINED FROM CHLORIDE-FLUORIDE MELTS
за авторством: Kuleshov, Serhii, та інші
Опубліковано: (2025)