Проблеми хіміко-динамічного полірування в технології кремнієвих p-i-n фотодіодів

During the preparation of silicon substrates for the manufacture of silicon p-i-n photodiodes, the effect of the presence of chemical-dynamic polishing and the depth of etching on the electrical parameters of the FD was observed. The quality of the polishing operation also affected the optical and p...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2023
Автор: Kukurudziak, M. S.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2023
Теми:
Онлайн доступ:https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/658
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Chemistry, Physics and Technology of Surface

Репозитарії

Chemistry, Physics and Technology of Surface