Проблеми хіміко-динамічного полірування в технології кремнієвих p-i-n фотодіодів

During the preparation of silicon substrates for the manufacture of silicon p-i-n photodiodes, the effect of the presence of chemical-dynamic polishing and the depth of etching on the electrical parameters of the FD was observed. The quality of the polishing operation also affected the optical and p...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2023
1. Verfasser: Kukurudziak, M. S.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainian
Veröffentlicht: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2023
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/658
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Chemistry, Physics and Technology of Surface

Institution

Chemistry, Physics and Technology of Surface