Дослідження плівок SiC, отриманих на підкладинці porous-Si/Si

• Дата: 2024
• Автори: Kidalov, V. V., Dyadenchuk, A. F., Zhuk, A. G., Gudimenko, O. Y., Simchenko, S. V.
• Формат: Стаття
• Мова: Ukrainian
• Опубліковано: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2024
• Теми: плівка SiC; поруватий Si; електрохімічне травлення; метод заміщення атомів
• Онлайн доступ: https://www.cpts.com.ua/index.php/cpts/article/view/723
• Назва журналу: Chemistry, Physics and Technology of Surface

The paper describes the method of obtaining the SiC/porous-Si/Si heterostructure and the study of its structural and morphological properties. The method of obtaining heterostructures consisted of several stages: electrochemical etching of single-crystal silicon p-Si (111), annealing of porous Si in...