Залежність густини остовних одноелектронних станів атомів карбону (C1s) від їх положення у вуглецевому нанокластері С96 та у поліароматичній молекулі С96Н24

• Дата: 2022
• Автори: Карпенко, О. С., Лобанов, В. В., Картель, М. Т.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2022
• Теми: графеноподібні нанокластери гексагональної форми; поліциклічний ароматичний вуглеводень; густина електронних станів; зсув C1s остовного рівня; теорія функціоналу густини; дефектвмісний нанокластер; моновакансія; гаусова апроксимація
• Онлайн доступ: https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/746
• Назва журналу: Surface

The hexagon-shape graphene nanoflakes (GNFs) limited by zigzag edges only (with doubly and triply coordinated atoms) have unique increased reactivity. Despite the high systems symmetry (D6h) the Carbon atoms in GNFs occupy non-equivalent positions. Can such physical and chemical characteristics of G...