Залежність густини остовних одноелектронних станів атомів карбону (C1s) від їх положення у вуглецевому нанокластері С96 та у поліароматичній молекулі С96Н24

• Date: 2022
• Author Affiliations: О. С. Карпенко — Інститут хімії поверхні ім. О.О.Чуйка Національної академії наук України; В. В. Лобанов — Інститут хімії поверхні ім. О.О.Чуйка Національної академії наук України; М. Т. Картель — Інститут хімії поверхні ім. О.О.Чуйка Національної академії наук України
• Keywords: keywords
• Main Authors: Карпенко, О. С., Лобанов, В. В., Картель, М. Т.
• Format: Article
• Language: English
• Published: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2022
• Subjects: графеноподібні нанокластери гексагональної форми; поліциклічний ароматичний вуглеводень; густина електронних станів; зсув C1s остовного рівня; теорія функціоналу густини; дефектвмісний нанокластер; моновакансія; гаусова апроксимація
• Online Access: https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/746
• Journal Title: Surface

The hexagon-shape graphene nanoflakes (GNFs) limited by zigzag edges only (with doubly and triply coordinated atoms) have unique increased reactivity. Despite the high systems symmetry (D6h) the Carbon atoms in GNFs occupy non-equivalent positions. Can such physical and chemical characteristics of G...