Екситон з переносом заряда у гетероструктурах Ge/Si з квантовими точками германію (міні-огляд)

• Дата: 2025
• Автори: Покутній, С. І., Громовий, Т. Ю., Корочкова, Т. Є., Машира, В. О.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Chuiko Institute of Surface Chemistry National Academy of Sciences of Ukraine 2025
• Теми: тунелювання електронів; квантові точки германію; потенційний бар'єр; екситон з переносом заряду
• Онлайн доступ: https://surfacezbir.com.ua/index.php/surface/article/view/800
• Назва журналу: Surface

It is shown that electron tunneling through a potential barrier that separates two quantum dots of germanium leads to the splitting of electron states localized over spherical interfaces (a quantum dot – a silicon matrix). The dependence of the splitting values of the electron levels on the paramete...