ТЕПЛОПРОВІДНІСТЬ МОНО- І ПОЛІКРИСТАЛІЧНОГО АЛМАЗУ ТА КОМПОЗИТІВ НА ЙОГО ОСНОВІ (ОГЛЯД)
Проведено аналіз накопиченого теоретичного і експериментального доробку з вивчення теплопровідності моно- і полікристалічного алмазу та композитів на його основі. Як випливає з наведеного огляду, моно- і полікристалічний алмаз різного генезису та композити на їх основі завдяки унікальним теплофізичн...
Gespeichert in:
| Datum: | 2020 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainian |
| Veröffentlicht: |
Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины
2020
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/199 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Tooling materials science |
Institution
Tooling materials science| Zusammenfassung: | Проведено аналіз накопиченого теоретичного і експериментального доробку з вивчення теплопровідності моно- і полікристалічного алмазу та композитів на його основі.
Як випливає з наведеного огляду, моно- і полікристалічний алмаз різного генезису та композити на їх основі завдяки унікальним теплофізичним властивостям є фактично безконкурентними при використанні як тепловідводи в електронних пристроях великої потужності. Створення спеціальних технологій виготовлення монокристалів алмазу (вирощування методом Т-градієнту в НРНТ умовах або з використанням CVD-методу вирощування) дозволили одержувати монокристали з теплопровідністю, яка не поступається природним монокристалам алмазу типу IIa. Сучасні прогресивні алмазні полікристалічні і композиційні матеріали мають величезний потенціал для вирішення великої кількості проблем у різних високотехнологічних галузях, в тому числі і при використанні їх як теплопровідного інструментального або конструкційного матеріалу, або при застосуванні в теплообмінних пристроях, що працюють за екстремальних теплових навантажень. Створення нових технологій одержання алмазних композиційних матеріалів з високою теплопровідністю (до 1000 Вт×м-1×К-1) дозволить їм конкурувати з природним алмазом при розробці якісно нових приладів наступного покоління. |
|---|