ДОСЛІДЖЕННЯ СТРУКТУРИ ТА ЗНОСОСТІЙКОСТІ МАТЕРІАЛІВ СИСТЕМ SІC – TIC, SІC – VC, ОТРИМАНИХ ЕЛЕКТОІСКРОВИМ СПІКАННЯМ

Досліджено вміст вуглецю в вихідних порошках і включеннях карбідів титану та ванадію в композитах SiС–TiС, SiС–VС, отриманих електроіскровим спіканням при температурі 2000оС, тиску 45 МПа, витримці 30 хв. Встановлено, що вміст вуглецю у включеннях карбіду ванадію в композиті SiC-VC більше, ніж вміст...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2025
Автори: Івженко, Вячеслав, Геворкян, Едвiн, Чишкала, Володимир, Ткач, Василь, Косенчук, Тамара, Шамсутдінова, Наталія, Старiк, Сергій
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: Институт сверхтвердых материалов им. В. Н. Бакуля Национальной академии наук Украины 2025
Теми:
Онлайн доступ:http://altis-ism.org.ua/index.php/ALTIS/article/view/446
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Tooling materials science

Репозитарії

Tooling materials science
Опис
Резюме:Досліджено вміст вуглецю в вихідних порошках і включеннях карбідів титану та ванадію в композитах SiС–TiС, SiС–VС, отриманих електроіскровим спіканням при температурі 2000оС, тиску 45 МПа, витримці 30 хв. Встановлено, що вміст вуглецю у включеннях карбіду ванадію в композиті SiC-VC більше, ніж вміст вуглецю в вихідному порошку VC на ~85%. Досліджено вплив вмісту карбідів титану і ванадію на пористість композитів. Встановлено, що пористість композитів зменшується з 30,4% в карбіді кремнію до 0,1% при концентрації карбіду титану в вихідній шихті 40 об.% і до 1,3% при концентрації карбіду ванадію в вихідній шихті 40 об.%. Досліджено вплив вмісту карбідів титану і ванадію на зносостійкість композитів. Встановлено, що  при вмісту 40 об.% карбідів титану і ванадію в вихідній шихті в композитах, спечених при 2000оС, витримці 30 хв., зносостійкість практично однакова і становить 16-17. Зносостійкість композитів SiC-TiC, спечених при 1900, 2000оС, підвищується при збільшенні витримки до 30 хв. і зменшується при збільшенні витримки до 45 хв. Зносостійкість композитів SiC-VC, спечених при 1900, 2000оС, підвищується в інтервалі 15-45 хв. витримки.