GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode

На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами междолинного переноса электронов в активной области и резонансного тунн...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2013
Hauptverfasser: Storozhenko, I. P., Prokhorov, E. D., Bothula, O. V.
Format: Artikel
Sprache:rus
Veröffentlicht: Видавничий дім «Академперіодика» 2013
Online Zugang:http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/639
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Radio physics and radio astronomy

Institution

Radio physics and radio astronomy