GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
На основе двухтемпературной модели междолинного переноса электронов в GaAs разработана методика исследования диодов Ганна с туннельной инжекцией электронов из катодного контакта. Изучены физические явления, связанные с эффектами междолинного переноса электронов в активной области и резонансного тунн...
Gespeichert in:
Datum: | 2013 |
---|---|
Hauptverfasser: | , , |
Format: | Artikel |
Sprache: | rus |
Veröffentlicht: |
Видавничий дім «Академперіодика»
2013
|
Online Zugang: | http://rpra-journal.org.ua/index.php/ra/article/view/639 |
Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
Назва журналу: | Radio physics and radio astronomy |