Buchumschlag

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ

The features of developing microchip lasers with passive Q-switching are considered. The active medium of the laser is an epitaxial layer of the saturable absorber Cr⁴⁺:YAG grown by liquid-phase epitaxy on an Nd:YAG substrate. Laser mirrors were deposited by electron-beam evaporation. Pumping was c...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2005
Hauptverfasser:	Izhnin, I. I., Vakiv, N. M., Izhnin, А. I., Syvorotka, I. M., Ubizskii, S. B.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005
Schlagworte:	микрочиповый лазер пассивная модуляция добротности насыщаемый поглотитель эпитаксиальная структура Nd:АИГ/ Cr 4:АИГ
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.6.30
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
von: Ижнин, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Модуль солнечных батарей на основе соединений А3В5 с концентраторами солнечной энергии и системой теплоотвода
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование пассивной модуляции добротности ИАГ:Nd лазера с затворами на основе окрашенных полиуретановых матриц
von: Безродный, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Газоразрядные лазеры терагерцевого диапазона
von: Дзюбенко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Лазеры на свободных электронах с медленными волнами
von: Буц, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
von: Chasnyk, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Поглотители СВЧ-энергии на основе нитрида алюминия с высоким уровнем поглощения
von: Chasnyk, V. I.
Veröffentlicht: (2014)

Динамические характеристики выпрямителя с широтно-импульсной модуляцией
von: Щербак, Я.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВЫПРЯМИТЕЛЯ С ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ
von: Щербак , Я.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
von: Krukovsky, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Подавление синхронной помехи в ЯКР с модуляцией Зеемана
von: Политанский, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Подавление синхронной помехи в ЯКР с модуляцией Зеемана
von: Politanskii, L. F.,, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Критические размерности систем с анизотропной модуляцией параметров порядка
von: Бабич, А.В.
Veröffentlicht: (2012)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
von: Мелков, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (1997)

Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников
von: Мелков, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (1995)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Borisenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Измерение добротности в условиях сближения резонансных частот типов колебаний в открытых резонаторах
von: Скресанов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Способы повышения эффективности многоканального фильтра доплеровского сигнала
von: Vasilevsky, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Определение резонансной частоты и добротности полудискового диэлектрического резонатора при помощи дробно-рациональной аппроксимации
von: Андреев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Горев, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Особенности методов контроля толщины тонких эпитаксиальных LSMO-пленок
von: Николаенко, Ю.М., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Идентификация начальных данных в модели переноса пассивной примеси
von: Кочергин, С.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

О добротности собственных колебаний электрического типа TM0nq открытого резонатора со сферическими зеркалами
von: Свищев, Ю.В.
Veröffentlicht: (2009)

Резонансное повышение добротности собственных колебаний магнитного типа в открытом резонаторе с металлическим шаровым включением
von: Свищёв, Ю.В.
Veröffentlicht: (2010)

Резонансное повышение добротности собственных колебаний магнитного типа в открытом резонаторе с диэлектрическим шаровым включением
von: Свищёв, Ю.В.
Veröffentlicht: (2014)

О добротности собственных колебаний магнитного типа TE0ng открытого резонатора со сферическими зеркалами
von: Свищёв, Ю.В.
Veröffentlicht: (2010)

Моделирование выходного напряжения многоуровневого инвертора с пространственно-векторной модуляцией двух линейных напряжений
von: Лопаткин, Н.Н.
Veröffentlicht: (2016)

МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ МНОГОУРОВНЕВОГО ИНВЕРТОРА С ПРОСТРАНСТВЕННО-ВЕКТОРНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ДВУХ ЛИНЕЙНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ
von: Лопаткин, Н.Н.
Veröffentlicht: (2016)

Исследование механических напряжений в эпитаксиальных датчиках Холла различной конфигурации
von: Касимов, Ф.Д., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe
von: Izhnin, I.I., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

НВП «Електрон-Карат» — 45 років успіху
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2017)