Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ
The features of developing microchip lasers with passive Q-switching are considered. The active medium of the laser is an epitaxial layer of the saturable absorber Cr⁴⁺:YAG grown by liquid-phase epitaxy on an Nd:YAG substrate. Laser mirrors were deposited by electron-beam evaporation. Pumping was c...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.6.30 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
за авторством: Ижнин, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Ижнин, И.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Модуль солнечных батарей на основе соединений А3В5 с концентраторами солнечной энергии и системой теплоотвода
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Исследование пассивной модуляции добротности ИАГ:Nd лазера с затворами на основе окрашенных полиуретановых матриц
за авторством: Безродный, В.И., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Безродный, В.И., та інші
Опубліковано: (2016)
Газоразрядные лазеры терагерцевого диапазона
за авторством: Дзюбенко, М.И., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Дзюбенко, М.И., та інші
Опубліковано: (2017)
Лазеры на свободных электронах с медленными волнами
за авторством: Буц, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Буц, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)
Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
за авторством: Chasnyk, V. I., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Chasnyk, V. I., та інші
Опубліковано: (2014)
Поглотители СВЧ-энергии на основе нитрида алюминия с высоким уровнем поглощения
за авторством: Chasnyk, V. I.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Chasnyk, V. I.
Опубліковано: (2014)
Динамические характеристики выпрямителя с широтно-импульсной модуляцией
за авторством: Щербак, Я.В., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Щербак, Я.В., та інші
Опубліковано: (2014)
ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВЫПРЯМИТЕЛЯ С ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ
за авторством: Щербак , Я.В., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Щербак , Я.В., та інші
Опубліковано: (2014)
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Krukovsky, S. I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Krukovsky, S. I., та інші
Опубліковано: (2007)
Подавление синхронной помехи в ЯКР с модуляцией Зеемана
за авторством: Политанский, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Политанский, Л.Ф., та інші
Опубліковано: (2012)
Подавление синхронной помехи в ЯКР с модуляцией Зеемана
за авторством: Politanskii, L. F.,, та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Politanskii, L. F.,, та інші
Опубліковано: (2012)
Критические размерности систем с анизотропной модуляцией параметров порядка
за авторством: Бабич, А.В.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Бабич, А.В.
Опубліковано: (2012)
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1997)
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1997)
Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1995)
за авторством: Мелков, Г.А., та інші
Опубліковано: (1995)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
Измерение добротности в условиях сближения резонансных частот типов колебаний в открытых резонаторах
за авторством: Скресанов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Скресанов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2015)
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2007)
Способы повышения эффективности многоканального фильтра доплеровского сигнала
за авторством: Vasilevsky, V. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Vasilevsky, V. V., та інші
Опубліковано: (2009)
Определение резонансной частоты и добротности полудискового диэлектрического резонатора при помощи дробно-рациональной аппроксимации
за авторством: Андреев, М.В., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Андреев, М.В., та інші
Опубліковано: (2013)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Горев, Н.Б., та інші
Опубліковано: (2009)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Каримов, А.В., та інші
Опубліковано: (2007)
Особенности методов контроля толщины тонких эпитаксиальных LSMO-пленок
за авторством: Николаенко, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Николаенко, Ю.М., та інші
Опубліковано: (2017)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Идентификация начальных данных в модели переноса пассивной примеси
за авторством: Кочергин, С.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Кочергин, С.В., та інші
Опубліковано: (2005)
О добротности собственных колебаний электрического типа TM0nq открытого резонатора со сферическими зеркалами
за авторством: Свищев, Ю.В.
Опубліковано: (2009)
за авторством: Свищев, Ю.В.
Опубліковано: (2009)
Резонансное повышение добротности собственных колебаний магнитного типа в открытом резонаторе с металлическим шаровым включением
за авторством: Свищёв, Ю.В.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Свищёв, Ю.В.
Опубліковано: (2010)
Резонансное повышение добротности собственных колебаний магнитного типа в открытом резонаторе с диэлектрическим шаровым включением
за авторством: Свищёв, Ю.В.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Свищёв, Ю.В.
Опубліковано: (2014)
О добротности собственных колебаний магнитного типа TE0ng открытого резонатора со сферическими зеркалами
за авторством: Свищёв, Ю.В.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Свищёв, Ю.В.
Опубліковано: (2010)
Моделирование выходного напряжения многоуровневого инвертора с пространственно-векторной модуляцией двух линейных напряжений
за авторством: Лопаткин, Н.Н.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Лопаткин, Н.Н.
Опубліковано: (2016)
МОДЕЛИРОВАНИЕ ВЫХОДНОГО НАПРЯЖЕНИЯ МНОГОУРОВНЕВОГО ИНВЕРТОРА С ПРОСТРАНСТВЕННО-ВЕКТОРНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ ДВУХ ЛИНЕЙНЫХ НАПРЯЖЕНИЙ
за авторством: Лопаткин, Н.Н.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Лопаткин, Н.Н.
Опубліковано: (2016)
Исследование механических напряжений в эпитаксиальных датчиках Холла различной конфигурации
за авторством: Касимов, Ф.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Касимов, Ф.Д., та інші
Опубліковано: (2001)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2007)
Effect of internal electrical field on compositional dependence of p-n junction depth in ion milled p-CdxHg₁₋xTe
за авторством: Izhnin, I.I., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Izhnin, I.I., та інші
Опубліковано: (2005)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)
НВП «Електрон-Карат» — 45 років успіху
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2017)