Buchumschlag

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ

The features of developing microchip lasers with passive Q-switching are considered. The active medium of the laser is an epitaxial layer of the saturable absorber Cr⁴⁺:YAG grown by liquid-phase epitaxy on an Nd:YAG substrate. Laser mirrors were deposited by electron-beam evaporation. Pumping was c...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2005
Hauptverfasser:	Izhnin, I. I., Vakiv, N. M., Izhnin, А. I., Syvorotka, I. M., Ubizskii, S. B.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005
Schlagworte:	микрочиповый лазер пассивная модуляция добротности насыщаемый поглотитель эпитаксиальная структура Nd:АИГ/ Cr 4:АИГ
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.6.30
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Сr+4:АИГ
von: Ижнин, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Микрочиповые лазеры
von: Матковский, А.О., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Модуль солнечных батарей на основе соединений А3В5 с концентраторами солнечной энергии и системой теплоотвода
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Газоразрядные лазеры терагерцевого диапазона
von: Дзюбенко, М.И., et al.
Veröffentlicht: (2017)

X-ray excited luminescence of ytterbium containing YAG single crystalline films
von: Zakharko, Ya.M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Синтез та електрокаталітичні властивості наноструктурованих плівок на основі TiO2-Nd
von: Vorobets, V. S., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Фазові перетворення в нанокомпозитах на основі пірогенних оксидів кремнію, алюмінію та оксидів рідкісноземельних металів Ln2O3 (Ln = Nd, Gd)
von: Oranska, O. I., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Лазеры на свободных электронах с медленными волнами
von: Буц, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Поглотители СВЧ-энергии с высокой теплопроводностью на основе AlN и SiC с добавками молибдена
von: Chasnyk, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Поглотители СВЧ-энергии на основе нитрида алюминия с высоким уровнем поглощения
von: Chasnyk, V. I.
Veröffentlicht: (2014)

НВП «Електрон-Карат» — 45 років успіху
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2017)

SRC &quot;Electron-Karat&quot; — 45 years of success
von: M. M. Vakiv, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Модельно-незалежний розв’язок задачі nd-розсіяння в квартетному стані
von: Grinyuk, B.E., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
von: Yushchuk, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2005)

ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВЫПРЯМИТЕЛЯ С ШИРОТНО-ИМПУЛЬСНОЙ МОДУЛЯЦИЕЙ
von: Щербак , Я.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Динамические характеристики выпрямителя с широтно-импульсной модуляцией
von: Щербак, Я.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Акустооптические модуляторы для систем спектрального анализа радиосигналов
von: Braiko, G. I., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
von: Krukovsky, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Подавление синхронной помехи в ЯКР с модуляцией Зеемана
von: Politanskii, L. F.,, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Критические размерности систем с анизотропной модуляцией параметров порядка
von: Бабич, А.В.
Veröffentlicht: (2012)

Подавление синхронной помехи в ЯКР с модуляцией Зеемана
von: Политанский, Л.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Kurmashev, Sh. D., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Борисенко, А.Г., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Микроволновый импеданс эпитаксиальных пленок высокотемпературных сверхпроводников
von: Мелков, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (1995)

Нелинейные СВЧ свойства эпитаксиальных пленок ВТСП
von: Мелков, Г.А., et al.
Veröffentlicht: (1997)

Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Borisenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Технология формирования высококачественных кремниевых эпитаксиальных структур
von: Новосядлый, С.П.
Veröffentlicht: (1998)

Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
von: Bonchyk, A. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Измерение добротности в условиях сближения резонансных частот типов колебаний в открытых резонаторах
von: Скресанов, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Корреляционная схема кадровой синхронизации в системах связи с QPSK-модуляцией
von: Садченко, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Способы повышения эффективности многоканального фильтра доплеровского сигнала
von: Vasilevsky, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
von: Круковский, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Применение феррогранатовых эпитаксиальных структур в сверхвысокочастотной электронике
von: Ющук, С.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
von: Курмашев, Ш.Д., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Определение резонансной частоты и добротности полудискового диэлектрического резонатора при помощи дробно-рациональной аппроксимации
von: Андреев, М.В., et al.
Veröffentlicht: (2013)