Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
The results of plasma-chemical etching of gallium nitride epitaxial structures on sapphire substrates are presented. Etching was carried out in a plasma-chemical reactor with closed electron drift. The working gases were CCl₄ and its mixtures with O₂ or Ar. A nickel mask with a thickness of 0.5–0.8...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.6.42 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Polozov, B. P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Polozov, B. P., та інші
Опубліковано: (2006)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Борисенко, А.Г., та інші
Опубліковано: (2005)
Особенности плазмохимического травления торцов кремниевых пластин для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Fedorovich, O. A., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Fedorovich, O. A., та інші
Опубліковано: (2009)
Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
за авторством: Krukovsky, S. I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Krukovsky, S. I., та інші
Опубліковано: (2007)
Влияние параметров ВЧ-разряда и параметров нагревателя на температуру подложки в плазмохимическом реакторе «Алмаз» для синтеза углеродных алмазоподобных пленок
за авторством: Hladkovskiy, V. V., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Hladkovskiy, V. V., та інші
Опубліковано: (2014)
Режим работы двухкаскадного термоэлектрического охлаждающего устройства, обеспечивающий минимальную интенсивность отказов
за авторством: Dudin, S. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dudin, S. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Плазменное травление гетероструктур на основе нитрида галлия при изготовлении оптоэлектронных устройств
за авторством: Дудин, С.В.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Дудин, С.В.
Опубліковано: (2006)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2013)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
за авторством: Sai, P. O.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Sai, P. O.
Опубліковано: (2016)
СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
за авторством: Григорьянц, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Григорьянц, В.В., та інші
Опубліковано: (2005)
СВЧ плазмохимическое осаждение структур для высокоапертурных планарных оптических волноводов
за авторством: Grigorjantz, V. V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Grigorjantz, V. V., та інші
Опубліковано: (2005)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Применение высокотеплопроводной керамики из нитрида алюминия в вакуумных электронных приборах СВЧ
за авторством: Chasnyk, V. I.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Chasnyk, V. I.
Опубліковано: (2013)
Получение пригодного для сенсорики пористого кремния методом неэлектролитического травления MacEtch
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Iatsunskyi, I. R.
Опубліковано: (2013)
Поглотители СВЧ-энергии на основе нитрида алюминия с высоким уровнем поглощения
за авторством: Chasnyk, V. I.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Chasnyk, V. I.
Опубліковано: (2014)
Исследование свойств пленок нитрида и оксида кремния, полученных методом плазмохимического осаждения на кремниевую подложку
за авторством: Rubtsevich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Rubtsevich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)
Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники
за авторством: Krukovsky, S. I.
Опубліковано: (2026)
за авторством: Krukovsky, S. I.
Опубліковано: (2026)
ПЕРЕНАПРУГИ В АНОРМАЛЬНИХ РЕЖИМАХ ЛІНІЇ ЕЛЕКТРОПЕРЕДАЧІ НАДВИСОКОЇ НАПРУГИ
за авторством: Кузнецов, В.Г., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Кузнецов, В.Г., та інші
Опубліковано: (2012)
Травление поверхности металлов в плазме аргона
за авторством: Капустин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Капустин, В.Л., та інші
Опубліковано: (2001)
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
за авторством: Pavlovich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Pavlovich, I. I., та інші
Опубліковано: (2011)
Применение технологии тонких пленок и наноструктурированных материалов при изготовлении теплонагруженных печатных плат
за авторством: Sakhno, E. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Sakhno, E. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Получение тонких пленок Si3N4 при пониженном давлении на пластинах диаметром до 200 мм
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Nalivaiko, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2012)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Исследование анизотропии поверхности поликристаллического покрытия нитрида галлия на туннельном микроскопе, оснащенном острием из алмаза, легированного бором
за авторством: Цысарь, М.А.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Цысарь, М.А.
Опубліковано: (2016)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p—i—n-структур методом ЖФЭ
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2013)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
за авторством: Voronin, V. O., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Voronin, V. O., та інші
Опубліковано: (2006)
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Dranchuk, S. N., та інші
Опубліковано: (2013)
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Andronova, О. V., та інші
Опубліковано: (2008)
Обзор мирового рынка арсенида галлия
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Наумов, А.В.
Опубліковано: (2005)
Синтез гексаметилдисилазанатов алюминия, галлия, индия
за авторством: Мазуренко, Е.А., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Мазуренко, Е.А., та інші
Опубліковано: (2000)
Микрочиповые лазеры с пассивной модуляцией добротности на основе эпитаксиальных структур Nd:АИГ/Cr⁴⁺:АИГ
за авторством: Izhnin, I. I., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Izhnin, I. I., та інші
Опубліковано: (2005)
Электрическое сопротивление контакта тонкопленочных резисторов
за авторством: Lougin, A. N., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Lougin, A. N., та інші
Опубліковано: (2006)