Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами

• Дата: 2005
• Автори: Yodgorova, D. M., Karimov, A. V.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005
• Теми: двухбарьерная структура; перераспределение напряжения; слой объемного заряда; гетеропереход; металлополупроводниковый переход
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.27
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Based on experimental data of the current–voltage characteristics and the dependence of resistance on voltage in double-barrier m‑pGaAs–nGdS and modified m‑pGaAs–pGaAs–nGdS structures, calculations were carried out for the redistribution of voltage between forward- and reverse-biased junctions. The...