Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
Based on experimental data of the current–voltage characteristics and the dependence of resistance on voltage in double-barrier m‑pGaAs–nGdS and modified m‑pGaAs–pGaAs–nGdS structures, calculations were carried out for the redistribution of voltage between forward- and reverse-biased junctions. The...
Gespeichert in:
| Datum: | 2005 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.27 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1862586826790797312 |
|---|---|
| author | Yodgorova, D. M. Karimov, A. V. |
| author_facet | Yodgorova, D. M. Karimov, A. V. |
| author_sort | Yodgorova, D. M. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-15T10:21:28Z |
| description | Based on experimental data of the current–voltage characteristics and the dependence of resistance on voltage in double-barrier m‑pGaAs–nGdS and modified m‑pGaAs–pGaAs–nGdS structures, calculations were carried out for the redistribution of voltage between forward- and reverse-biased junctions. The obtained data can be used to estimate the frequency range, the dependence of photosensitivity on the field, and to identify the mechanisms of photosensitivity in double-barrier structures with metal–semiconductor junctions. |
| first_indexed | 2026-04-16T01:00:18Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1016 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-16T01:00:18Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10162026-04-15T10:21:28Z Determination of the characteristics of double-barrier photodiode structures with metal–semiconductor junctions Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами Yodgorova, D. M. Karimov, A. V. double-barrier structure voltage redistribution space charge layer heterojunction metal–semiconductor junction двухбарьерная структура перераспределение напряжения слой объемного заряда гетеропереход металлополупроводниковый переход Based on experimental data of the current–voltage characteristics and the dependence of resistance on voltage in double-barrier m‑pGaAs–nGdS and modified m‑pGaAs–pGaAs–nGdS structures, calculations were carried out for the redistribution of voltage between forward- and reverse-biased junctions. The obtained data can be used to estimate the frequency range, the dependence of photosensitivity on the field, and to identify the mechanisms of photosensitivity in double-barrier structures with metal–semiconductor junctions. На основе экспериментальных данных вольт-амперной характеристики по зависимости сопротивления от напряжения в двухбарьерных m-рGaAs–nGdS- и модернизированных m-рGaAs–рGaAs–nGdS-структурах проведен расчет перераспределения напряжения между прямо- и обратносмещаемыми переходами. Полученные данные могут быть использованы для оценки частотного диапазона, зависимости фоточувствительности от поля, выявления механизмов фоточувствительности двухбарьерных структур с металлополупроводниковыми переходами. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.27 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 27-30 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 27-30 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.27/926 Copyright (c) 2005 D. M. Yodgorova, A. V. Karimov http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | двухбарьерная структура перераспределение напряжения слой объемного заряда гетеропереход металлополупроводниковый переход Yodgorova, D. M. Karimov, A. V. Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| title | Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| title_alt | Determination of the characteristics of double-barrier photodiode structures with metal–semiconductor junctions |
| title_full | Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| title_fullStr | Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| title_full_unstemmed | Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| title_short | Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| title_sort | определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами |
| topic | двухбарьерная структура перераспределение напряжения слой объемного заряда гетеропереход металлополупроводниковый переход |
| topic_facet | double-barrier structure voltage redistribution space charge layer heterojunction metal–semiconductor junction двухбарьерная структура перераспределение напряжения слой объемного заряда гетеропереход металлополупроводниковый переход |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.5.27 |
| work_keys_str_mv | AT yodgorovadm determinationofthecharacteristicsofdoublebarrierphotodiodestructureswithmetalsemiconductorjunctions AT karimovav determinationofthecharacteristicsofdoublebarrierphotodiodestructureswithmetalsemiconductorjunctions AT yodgorovadm opredelenieharakteristikdvuhbarʹernyhfotodiodnyhstruktursmetallopoluprovodnikovymiperehodami AT karimovav opredelenieharakteristikdvuhbarʹernyhfotodiodnyhstruktursmetallopoluprovodnikovymiperehodami |