Buchumschlag

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4

The capacitance–voltage characteristics of n(p)-HgCdTe/SiO2/Si3N4 and n(p)-HgCdTe/anodic oxide film MIS structures have been experimentally investigated at different frequencies and voltage sweep directions. Specific features of electrophysical characteristics have been identified, associated with t...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2005
Hauptverfasser:	Voitsekhovskii, A. V., Nesmelov, S. N., Kulchitskii, N. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005
Schlagworte:	МДП-структуры HgCdTe вольт-фарадные характеристики варизонные слои
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.35
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
von: Tsybrii, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄
von: Войцеховский, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Vlasenko, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
von: Tetyorkin, V., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
von: Yakovkin, I.N.
Veröffentlicht: (2021)

Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
von: Staryi, S., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Особливостi дислокацiйного поглинання ультразвуку в безсубблочних кристалах Cd0,2Hg0,8Te
von: Lysyuk, I. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
von: Pigur, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Kutniy, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
von: Smirnov, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Simulating characteristics of Si/Ge tandem monolithic solar cell with Si1-xGex buffer layer: Моделирование характеристик тандемного монолитного солнечного элемента Si/Ge с буферным слоем Si1–хGeх
von: Gnilenko, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения
von: Rybka, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Noise in HgCdTe LWIR arrays
von: Sizov, F.F., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0
von: Gentsar, P.O., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
von: Baidullaeva, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
von: Veleschuk, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Medium wavelength infrared HgCdTe discrete photodetectors
von: Z. F. Tsibrij, et al.
Veröffentlicht: (2017)

Селективная спектроскопия примесных ионов Pr³⁺ в кристаллах Y₂SiO₅ , Gd₂SiO₅ , Lu₂SiO₅
von: Малюкин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Микроскопическая природа оптических центров Pr³⁺ в кристаллах Y₂SiO₅, Lu₂SiO₅, Gd₂SiO₅
von: Малюкин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2002)

Interface features of SiO₂/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO₂ thin films
von: Bacherikov, Yu.Yu., et al.
Veröffentlicht: (2012)

HgCdTe quantum wells grown by molecular beam epitaxy
von: Dvoretsky, S.A, et al.
Veröffentlicht: (2007)

Проявление квазисимметрии катионных узлов Gd₂SiO₅, ₂SiO₅ и Lu₂SiO₅ в спектрах примесного иона Pr³⁺
von: Малюкин, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Electron states at the Si–SiO₂ boundary (Review)
von: Primachenko, V.E., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2016)

Эффективность сбора зарядов в датчиках γ-излучения с различной конфигурацией электродов
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2012)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
von: Kovaliuk, Taras, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Квазісинхронна термокомпенсація в іонометрії із застосуванням ІСПТ. Частина 1. Теорія та моделювання
von: Pavluchenko, Alexey, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Electron transport through nanocomposite SiO₂(Si) films containing Si nanocrystals
von: Bratus, O.L., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Свойства и практическое применение нанокристаллических пленок оксида церия
von: Maksimchuk, N. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Роль поверхности в формировании свойств пирогенных нанокомпозитов SiO₂-Al₂O₃, SiO₂-ТіO₂ и Al₂O₃-SiO₂-ТіO₂
von: Горбик, П.П., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Electron transport through nanocomposite SiO2(Si) films containing Si nanocrystals
von: O. L. Bratus, et al.
Veröffentlicht: (2016)