Buchumschlag

Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки

A technology is proposed for forming transition layers of palladium silicide through a solid-phase reaction of a palladium film with a silicon substrate directly during deposition, without the need for subsequent thermal treatment. Studies of the elemental composition and crystalline structure of...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2005
Hauptverfasser:	Anufriev, L. P., Baranov, V. V., Solovjov, J. A., Tarasikov, M. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005
Schlagworte:	диоды Шоттки силицид палладия термическое испарение вольт-амперные характеристики
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.4.55
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Технология получения пленок силицида палладия для мощных диодов Шоттки
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Baranov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)

ПОВЫШЕНИЕ ЭФФЕКТИВНОСТИ ДУГОВОЙ СОСТАВЛЯЮЩЕЙ ЛАЗЕРНО-ДУГОВОГО РАЗРЯДА
von: Бушма , А.И., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Нанесение тонких пленок в вакууме на подложки из синтетического опала
von: Panfilov, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Тонкопленочные элементы кремниевых диодов Шоттки для высокотемпературного микромонтажа
von: Баранов, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Солодуха, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Мощные излучающие диоды инфракрасного диапазона
von: Kogan, L. M.
Veröffentlicht: (2012)

Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Некоторые особенности сушки литейных форм и стержней в области стоячих волн сверхвысокочастотного излучения
von: Солоненко, Л. И.
Veröffentlicht: (2023)

Влияние облучения кремния низкоэнергетическими ионами аргона на образование в нем электрически активных дефектов
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов
von: Anufriev, D. L., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Теплотехнические характеристики радиатора для эффективных систем охлаждения радиоэлектронной техники
von: Rudenko, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Каскадный инжекционный фотоприемник на основе твердых растворов A2B6-соединений для спектрального диапазона = 500–650 нм
von: Mirsagatov, Sh. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Отожженный и водородофазонаклепанный гидрид палладия: методики получения и механические свойства
von: Жиров, Г.И.
Veröffentlicht: (2003)

Применение мощных ускорителей электронов типа ЭЛВ для получения нанопорошков
von: Бардаханов, С.П., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Высокостабильный СВЧ генераторный модуль для быстродействующих систем
von: Plaksin, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние термического окисления на анизотропию электропроводности и фотопроводимости наноструктурированного кремния
von: Forsh, P. A., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Кулеры на тепловых трубах для теплонагруженных компонентов персональных компьютеров
von: Rassamakin, B. M., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Фотодиод ультрафиолетового диапазона на основе селенида цинка
von: Perevertailo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование дельта-легированного водородом p-слоя в природных и CVD-кристаллах алмаза
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Моделювання комбінованого діода Шоттки
von: Кісельов, Є.М.
Veröffentlicht: (2013)

Зміни характеристик кремнієвих фотоелектричних перетворювачів сонячних батарей після струмових перевантажень
von: Ivanchenko, Alexander, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Дослiдження характеристик кремнiєвих фотоелектричних перетворювачiв сонячних батарей при перегрiві
von: Ivanchenko, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Исследование режимов теплообмена в пульсационной тепловой трубе
von: Kravets, V. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Закономерности деградации светоизлучающих диодов
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Латеральная фотоЭДС в контакте Шоттки
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Деградация контакта Шоттки при термическом отжиге
von: Венгер, Е.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
von: Yermolenko, Ye. O., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Физические имитаторы мощных транзисторов
von: Стевич, З.
Veröffentlicht: (2000)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Gorban, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Горбань, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Окисление и изомеризация олефинов солями палладия
von: Григорьев, А.А.
Veröffentlicht: (2000)

Комплексообразование палладия (II) с метилендифосфоновой кислотой
von: Козачкова, А.Н., et al.
Veröffentlicht: (2012)