Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники

• Datum: 2005
• Hauptverfasser: Shwarts, Yu. M., Shwarts, M. M.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005
• Schlagworte: экстремальная электроника; p-n-переход; Si; сенсор; температура
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.30
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The results of fundamental and metrological studies used for the development of diode temperature sensors for extreme electronics are presented. The sensors, designed on the basis of modern industrial technology for manufacturing silicon diode chips, have been applied in multichannel systems for t...