Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs
An electrochemical profiling setup for semiconductor structures has been developed, in which the concentration of free charge carriers is determined from the capacitance–voltage characteristics of the electrolyte–semiconductor barrier, while scanning through the thickness of epitaxial layers is perf...
Збережено в:
| Дата: | 2005 |
|---|---|
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.40 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1863855186807619584 |
|---|---|
| author | Vakiv, N. M. Zaverbniy, I. R. Zayachuk, D. M. Krukovsky, S. I. Mrykhin, I. O. |
| author_facet | Vakiv, N. M. Zaverbniy, I. R. Zayachuk, D. M. Krukovsky, S. I. Mrykhin, I. O. |
| author_sort | Vakiv, N. M. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-29T08:08:45Z |
| description | An electrochemical profiling setup for semiconductor structures has been developed, in which the concentration of free charge carriers is determined from the capacitance–voltage characteristics of the electrolyte–semiconductor barrier, while scanning through the thickness of epitaxial layers is performed by photoelectrochemical etching of the semiconductor. Using GaAs epitaxial structures as an example, high measurement accuracy of carrier concentration to a depth of at least 10 μm has been demonstrated. |
| first_indexed | 2026-04-30T01:00:21Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1055 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-30T01:00:21Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10552026-04-29T08:08:45Z Electrochemical profiling setup for diagnosing GaAs epitaxial structures Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs Vakiv, N. M. Zaverbniy, I. R. Zayachuk, D. M. Krukovsky, S. I. Mrykhin, I. O. electrochemical profiling electrolyte–semiconductor barrier GaAs GaAs электрохимическое профилирование барьер An electrochemical profiling setup for semiconductor structures has been developed, in which the concentration of free charge carriers is determined from the capacitance–voltage characteristics of the electrolyte–semiconductor barrier, while scanning through the thickness of epitaxial layers is performed by photoelectrochemical etching of the semiconductor. Using GaAs epitaxial structures as an example, high measurement accuracy of carrier concentration to a depth of at least 10 μm has been demonstrated. Разработана установка электрохимического профилирования полупроводниковых структур, в которой концентрация свободных носителей заряда определяется на основе вольт-фарадных характеристик барьера "электролит-полупроводник", а сканирование по толщине эпитаксиальных слоев осуществляется путем фотоэлектрохимического травления полупроводника. На примере эпитаксиальных структур GaAs показана высокая точность измерения концентрации носителей заряда на глубину не менее 10 мкм. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.40 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 40-45 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 40-45 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.40/961 Copyright (c) 2005 Vakiv N. M., Zaverbniy I. R., Zayachuk D. M., Krukovsky S. I., Mrykhin I. O. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | GaAs электрохимическое профилирование барьер Vakiv, N. M. Zaverbniy, I. R. Zayachuk, D. M. Krukovsky, S. I. Mrykhin, I. O. Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs |
| title | Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs |
| title_alt | Electrochemical profiling setup for diagnosing GaAs epitaxial structures |
| title_full | Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs |
| title_fullStr | Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs |
| title_full_unstemmed | Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs |
| title_short | Установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур GaAs |
| title_sort | установка электрохимического профилирования для диагностирования эпитаксиальных структур gaas |
| topic | GaAs электрохимическое профилирование барьер |
| topic_facet | electrochemical profiling electrolyte–semiconductor barrier GaAs GaAs электрохимическое профилирование барьер |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.40 |
| work_keys_str_mv | AT vakivnm electrochemicalprofilingsetupfordiagnosinggaasepitaxialstructures AT zaverbniyir electrochemicalprofilingsetupfordiagnosinggaasepitaxialstructures AT zayachukdm electrochemicalprofilingsetupfordiagnosinggaasepitaxialstructures AT krukovskysi electrochemicalprofilingsetupfordiagnosinggaasepitaxialstructures AT mrykhinio electrochemicalprofilingsetupfordiagnosinggaasepitaxialstructures AT vakivnm ustanovkaélektrohimičeskogoprofilirovaniâdlâdiagnostirovaniâépitaksialʹnyhstrukturgaas AT zaverbniyir ustanovkaélektrohimičeskogoprofilirovaniâdlâdiagnostirovaniâépitaksialʹnyhstrukturgaas AT zayachukdm ustanovkaélektrohimičeskogoprofilirovaniâdlâdiagnostirovaniâépitaksialʹnyhstrukturgaas AT krukovskysi ustanovkaélektrohimičeskogoprofilirovaniâdlâdiagnostirovaniâépitaksialʹnyhstrukturgaas AT mrykhinio ustanovkaélektrohimičeskogoprofilirovaniâdlâdiagnostirovaniâépitaksialʹnyhstrukturgaas |