Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения
Voltage and current oscillations in field-effect transistors fabricated using silicon-on-insulator (SOI) technology have been investigated. It has been shown that by changing the transistor’s supply conditions, the oscillation frequency can be varied over a wide range (0.1–1 MHz), as well as their n...
Gespeichert in:
| Datum: | 2005 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.54 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1863855186748899328 |
|---|---|
| author | Ninidze, G. K. Pavljuk, S. P. Ishchuk, L. V. Kushnirenko, V. V. |
| author_facet | Ninidze, G. K. Pavljuk, S. P. Ishchuk, L. V. Kushnirenko, V. V. |
| author_sort | Ninidze, G. K. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-29T08:08:45Z |
| description | Voltage and current oscillations in field-effect transistors fabricated using silicon-on-insulator (SOI) technology have been investigated. It has been shown that by changing the transistor’s supply conditions, the oscillation frequency can be varied over a wide range (0.1–1 MHz), as well as their nature — from quasi-harmonic to relaxation oscillations. This makes it possible to use such a transistor as a voltage oscillation generator. It was established that these oscillations are caused by physical processes occurring directly within the transistor. A qualitative description of these processes is provided. |
| first_indexed | 2026-04-30T01:00:21Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1058 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-30T01:00:21Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10582026-04-29T08:08:45Z Voltage oscillations in SOI transistors as generators Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения Ninidze, G. K. Pavljuk, S. P. Ishchuk, L. V. Kushnirenko, V. V. silicon-on-insulator voltage oscillations generator кремний на изоляторе колебания напряжения генератор Voltage and current oscillations in field-effect transistors fabricated using silicon-on-insulator (SOI) technology have been investigated. It has been shown that by changing the transistor’s supply conditions, the oscillation frequency can be varied over a wide range (0.1–1 MHz), as well as their nature — from quasi-harmonic to relaxation oscillations. This makes it possible to use such a transistor as a voltage oscillation generator. It was established that these oscillations are caused by physical processes occurring directly within the transistor. A qualitative description of these processes is provided. Исследованы колебания напряжения и тока в полевых транзисторах, изготовленных по технологии "кремний-на-изоляторе". Показано, что изменением условий питания транзистора можно в широких пределах (0,1–1 МГц) изменять частоту колебаний, а также их характер — от квазигармонических до релаксационных, т. е. использовать такой транзистор в роли генератора колебаний напряжения. Установлено, что эти колебания обусловлены физическими процессами, которые происходят непосредственно в транзисторе. Приведено качественное описание этих процессов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.54 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 54-57 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 54-57 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.54/964 Copyright (c) 2005 G. K. Ninidze , S. P. Pavljuk, L. V. Ishchuk, V. V. Kushnirenko http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | кремний на изоляторе колебания напряжения генератор Ninidze, G. K. Pavljuk, S. P. Ishchuk, L. V. Kushnirenko, V. V. Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения |
| title | Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения |
| title_alt | Voltage oscillations in SOI transistors as generators |
| title_full | Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения |
| title_fullStr | Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения |
| title_full_unstemmed | Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения |
| title_short | Использование КНИ-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения |
| title_sort | использование кни-транзистора в качестве генератора колебаний напряжения |
| topic | кремний на изоляторе колебания напряжения генератор |
| topic_facet | silicon-on-insulator voltage oscillations generator кремний на изоляторе колебания напряжения генератор |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.3.54 |
| work_keys_str_mv | AT ninidzegk voltageoscillationsinsoitransistorsasgenerators AT pavljuksp voltageoscillationsinsoitransistorsasgenerators AT ishchuklv voltageoscillationsinsoitransistorsasgenerators AT kushnirenkovv voltageoscillationsinsoitransistorsasgenerators AT ninidzegk ispolʹzovanieknitranzistoravkačestvegeneratorakolebanijnaprâženiâ AT pavljuksp ispolʹzovanieknitranzistoravkačestvegeneratorakolebanijnaprâženiâ AT ishchuklv ispolʹzovanieknitranzistoravkačestvegeneratorakolebanijnaprâženiâ AT kushnirenkovv ispolʹzovanieknitranzistoravkačestvegeneratorakolebanijnaprâženiâ |