Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
The issue of replacing cadmium chalcogenides in solar cell structures is considered. The process of cadmium selenide epitaxy on a layered GaTe substrate has been investigated. It is shown that this process is accompanied by reactive interaction of the components, subsequent diffusion of gallium at...
Gespeichert in:
| Datum: | 2005 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.2.59 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1863855191060643840 |
|---|---|
| author | Balitskii, О. A. |
| author_facet | Balitskii, О. A. |
| author_sort | Balitskii, О. A. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-29T15:52:35Z |
| description |
The issue of replacing cadmium chalcogenides in solar cell structures is considered. The process of cadmium selenide epitaxy on a layered GaTe substrate has been investigated. It is shown that this process is accompanied by reactive interaction of the components, subsequent diffusion of gallium atoms from the substrate to the surface, and the formation of Ga-Se bonds relative to the bulk Ga-Te and epitaxial Cd-Se components of the photoelectron spectrum.
|
| first_indexed | 2026-04-30T01:00:25Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1075 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-30T01:00:25Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10752026-04-29T15:52:35Z Formation of GaTe/CdSe heterostructures for use in solar cells Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах Balitskii, О. A. solar cells van der Waals epitaxy gallium and cadmium chalcogenides X-ray photoelectron spectroscopy солнечные элементы ван-дер-вальсовская эпитаксия халькогениды галлия и кадмия рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия The issue of replacing cadmium chalcogenides in solar cell structures is considered. The process of cadmium selenide epitaxy on a layered GaTe substrate has been investigated. It is shown that this process is accompanied by reactive interaction of the components, subsequent diffusion of gallium atoms from the substrate to the surface, and the formation of Ga-Se bonds relative to the bulk Ga-Te and epitaxial Cd-Se components of the photoelectron spectrum. Рассмотрен вопрос замены халькогенидов кадмия в структурах солнечных элементов. Исследован процесс эпитаксии селенида кадмия на слоистую подложку GaTe. Показано, что этот процесс сопровождается реакционным взаимодействием компонент, последующей диффузией атомов галлия подложки к поверхности и формирующимися связями Ga-Se относительно объемной Ga-Te- и эпитаксионной Cd-Se-составляющих фотоэлектронного спектра. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-04-29 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.2.59 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 59-61 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 59-61 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.2.59/981 Copyright (c) 2005 Balitskii О. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | солнечные элементы ван-дер-вальсовская эпитаксия халькогениды галлия и кадмия рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия Balitskii, О. A. Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах |
| title | Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах |
| title_alt | Formation of GaTe/CdSe heterostructures for use in solar cells |
| title_full | Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах |
| title_fullStr | Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах |
| title_full_unstemmed | Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах |
| title_short | Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах |
| title_sort | формирование гетероструктур gate/cdse для использования в солнечных элементах |
| topic | солнечные элементы ван-дер-вальсовская эпитаксия халькогениды галлия и кадмия рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия |
| topic_facet | solar cells van der Waals epitaxy gallium and cadmium chalcogenides X-ray photoelectron spectroscopy солнечные элементы ван-дер-вальсовская эпитаксия халькогениды галлия и кадмия рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.2.59 |
| work_keys_str_mv | AT balitskiioa formationofgatecdseheterostructuresforuseinsolarcells AT balitskiioa formirovaniegeterostrukturgatecdsedlâispolʹzovaniâvsolnečnyhélementah |