Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах

• Дата: 2005
• Автор: Balitskii, О. A.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005
• Теми: солнечные элементы; ван-дер-вальсовская эпитаксия; халькогениды галлия и кадмия; рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.2.59
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The issue of replacing cadmium chalcogenides in solar cell structures is considered. The process of cadmium selenide epitaxy on a layered GaTe substrate has been investigated. It is shown that this process is accompanied by reactive interaction of the components, subsequent diffusion of gallium at...