Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
The possibility of fabricating an n–p–n type phototransistor based on a double heterostructure “oxide–InSe–oxide” is demonstrated. Photocurrent amplification in the phototransistor occurs only for initial sample thicknesses comparable to the diffusion length of minority charge carriers. A distinctiv...
Saved in:
| Date: | 2005 |
|---|---|
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2005
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.1.38 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1864036379301773312 |
|---|---|
| author | Kovalyuk, Z. D. Katerynchuk, V. M. Sydor, O. N. |
| author_facet | Kovalyuk, Z. D. Katerynchuk, V. M. Sydor, O. N. |
| author_sort | Kovalyuk, Z. D. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-01T07:01:58Z |
| description | The possibility of fabricating an n–p–n type phototransistor based on a double heterostructure “oxide–InSe–oxide” is demonstrated. Photocurrent amplification in the phototransistor occurs only for initial sample thicknesses comparable to the diffusion length of minority charge carriers. A distinctive feature of the amplification is the transition of the phototransistor from a high-resistance to a low-resistance state at certain voltages and illumination levels. The higher the illumination level, the lower the transition voltage. The current density through the phototransistor during such a transition can reach 60–100 mA/cm². |
| first_indexed | 2026-05-02T01:00:19Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1087 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-02T01:00:19Z |
| publishDate | 2005 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10872026-05-01T07:01:58Z Study of the photoelectric properties of the symmetric heterostructure “oxide–InSe–oxide” Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел" Kovalyuk, Z. D. Katerynchuk, V. M. Sydor, O. N. InSe oxide phototransistor ІnSe оксид фототранзистор The possibility of fabricating an n–p–n type phototransistor based on a double heterostructure “oxide–InSe–oxide” is demonstrated. Photocurrent amplification in the phototransistor occurs only for initial sample thicknesses comparable to the diffusion length of minority charge carriers. A distinctive feature of the amplification is the transition of the phototransistor from a high-resistance to a low-resistance state at certain voltages and illumination levels. The higher the illumination level, the lower the transition voltage. The current density through the phototransistor during such a transition can reach 60–100 mA/cm². Показана возможность изготовления фототранзистора n–p–n-типа на основе двойной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел". Усиление фототока в фототранзисторе осуществляется только для толщин исходных образцов, сравнимых с диффузионной длиной неосновных носителей заряда. Особенностью усиления является переход фототранзистора из высокоомного в низкоомное состояние при определенных напряжениях и уровне освещения. Чем выше уровень освещения, тем меньше напряжение перехода. Плотность токов через фототранзистор при таком переходе может достигать 60–100 мА/cм2. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2005-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.1.38 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2005): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 38-39 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2005): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 38-39 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.1.38/992 Copyright (c) 2005 Kovalyuk Z. D., Katerynchuk V. M., Sydor O. N. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | ІnSe оксид фототранзистор Kovalyuk, Z. D. Katerynchuk, V. M. Sydor, O. N. Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел" |
| title | Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел" |
| title_alt | Study of the photoelectric properties of the symmetric heterostructure “oxide–InSe–oxide” |
| title_full | Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел" |
| title_fullStr | Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел" |
| title_full_unstemmed | Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел" |
| title_short | Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел" |
| title_sort | исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–inse–окисел" |
| topic | ІnSe оксид фототранзистор |
| topic_facet | InSe oxide phototransistor ІnSe оксид фототранзистор |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2005.1.38 |
| work_keys_str_mv | AT kovalyukzd studyofthephotoelectricpropertiesofthesymmetricheterostructureoxideinseoxide AT katerynchukvm studyofthephotoelectricpropertiesofthesymmetricheterostructureoxideinseoxide AT sydoron studyofthephotoelectricpropertiesofthesymmetricheterostructureoxideinseoxide AT kovalyukzd issledovaniefotoélektričeskihsvojstvsimmetričnojgeterostrukturyquotokiselinseokiselquot AT katerynchukvm issledovaniefotoélektričeskihsvojstvsimmetričnojgeterostrukturyquotokiselinseokiselquot AT sydoron issledovaniefotoélektričeskihsvojstvsimmetričnojgeterostrukturyquotokiselinseokiselquot |