Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
A calculation of the quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals is carried out, taking into account their composition, doping level, temperature, and optical excitation level. It is shown that an increase in quantum efficiency of radiative recombination in the interba...
Saved in:
| Date: | 2004 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.07 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1864036381384245248 |
|---|---|
| author | Vlasenko, A. I. Vlasenko, Z. K. |
| author_facet | Vlasenko, A. I. Vlasenko, Z. K. |
| author_sort | Vlasenko, A. I. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-01T12:31:44Z |
| description | A calculation of the quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals is carried out, taking into account their composition, doping level, temperature, and optical excitation level. It is shown that an increase in quantum efficiency of radiative recombination in the interband process in both n- and p-type crystals across the entire doping range is achieved by lowering the temperature and increasing the band gap width. In p-type crystals, doping with acceptor defects within certain limits, depending on the material composition, also contributes to higher quantum efficiency. |
| first_indexed | 2026-05-02T01:00:21Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1097 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-02T01:00:21Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-10972026-05-01T12:31:44Z Quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe Vlasenko, A. I. Vlasenko, Z. K. CdHgTe photoconductivity recombination luminescence CdHgTe фотопроводимость рекомбинация люминесценция A calculation of the quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals is carried out, taking into account their composition, doping level, temperature, and optical excitation level. It is shown that an increase in quantum efficiency of radiative recombination in the interband process in both n- and p-type crystals across the entire doping range is achieved by lowering the temperature and increasing the band gap width. In p-type crystals, doping with acceptor defects within certain limits, depending on the material composition, also contributes to higher quantum efficiency. Проведен расчет квантового выхода межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe с учетом их состава, уровня легирования, температуры и уровня оптического возбуждения. Показано, что к увеличению квантового выхода излучательной рекомбинации в межзонном рекомбинационном процессе в кристаллах n- и p-типов во всем диапазоне уровней легирования приводят уменьшение температуры и увеличение ширины запрещенной зоны, а в кристаллах p-типа также легирование акцепторными дефектами в определенных пределах, зависящих от состава материала. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.07 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2004): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 7-10 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 7-10 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.07/1002 Copyright (c) 2004 Vlasenko A. I., Vlasenko Z. K. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | CdHgTe фотопроводимость рекомбинация люминесценция Vlasenko, A. I. Vlasenko, Z. K. Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe |
| title | Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe |
| title_alt | Quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals |
| title_full | Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe |
| title_fullStr | Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe |
| title_full_unstemmed | Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe |
| title_short | Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe |
| title_sort | квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах cdhgte |
| topic | CdHgTe фотопроводимость рекомбинация люминесценция |
| topic_facet | CdHgTe photoconductivity recombination luminescence CdHgTe фотопроводимость рекомбинация люминесценция |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.07 |
| work_keys_str_mv | AT vlasenkoai quantumefficiencyofinterbandradiativerecombinationincdhgtecrystals AT vlasenkozk quantumefficiencyofinterbandradiativerecombinationincdhgtecrystals AT vlasenkoai kvantovyjvyhodmežzonnojizlučatelʹnojrekombinaciivkristallahcdhgte AT vlasenkozk kvantovyjvyhodmežzonnojizlučatelʹnojrekombinaciivkristallahcdhgte |