Buchumschlag

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe

A calculation of the quantum efficiency of interband radiative recombination in CdHgTe crystals is carried out, taking into account their composition, doping level, temperature, and optical excitation level. It is shown that an increase in quantum efficiency of radiative recombination in the interba...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2004
Hauptverfasser:	Vlasenko, A. I., Vlasenko, Z. K.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004
Schlagworte:	CdHgTe фотопроводимость рекомбинация люминесценция
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.6.07
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Квантовый выход межзонной излучательной рекомбинации в кристаллах CdHgTe
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Дослiдження морфологiї шарiв p-CdHgTe структурованих ковзним опромiненням iонами срiбла
von: Smirnov, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2019)

Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
von: Tsybrii, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Поверхневi та iнтерфейснi зони гетероструктури CdTe–HgTe–CdTe: докази металевостi
von: Yakovkin, I.N.
Veröffentlicht: (2021)

Емкостные свойства МДП-структур HgCdTe/SiO2/Si3N4
von: Voitsekhovskii, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Особливостi дислокацiйного поглинання ультразвуку в безсубблочних кристалах Cd0,2Hg0,8Te
von: Lysyuk, I. O., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Радиационно стойкая фотоструктура на основе Cr/In2Hg3Te6 для диода Шоттки
von: Ashcheulov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
von: Pigur, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Расчет транспортных свойств детекторов гамма-излучения на основе полуизолирующих полупроводников
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Залежнiсть порога плавлення CdTe вiд тривалостi iмпульсу та довжини хвилi випромiнювання лазера i параметрiв нерiвноважних носiїв заряду
von: Veleschuk, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения
von: Rybka, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Структура Те-CdTe со свойством электронного переключения с памятью
von: Baidullaeva, А., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Моделирование энергетической зависимости чувствительности CdTe (CdZnTe) детекторов гамма-излучения
von: Zakharchenko, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Часи життя носіїв заряду у вузькощілинному Hg1–xCdxTe при міжзонному та внутрішньозонному збудженні
von: Staryi, S., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Моделювання механізмів транспорту носіїв заряду в HgCdTe та InSb фотодіодах на ділянку спектра 3–5 мкм
von: Tetyorkin, V., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Вплив імпульсного лазерного опромінення (довжина електромагнітної хвилі 266 нм) на оптичні властивості CdTe та Cd0,9Zn0,1Te в області фундаментального оптичного переходу E0
von: Gentsar, P.O., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Влияние электронной структуры нанокластеров на квантовый выход фотоэмиссии магниевых сплавов
von: Ткаченко, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Anisotropy of ultrasonic waves propagation velocities in CdHgTe/CdTe
von: Lysiuk, I.O., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів MoN/p-CdTe та MoN/n-CdTe
von: Kovaliuk, Taras, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Passivation of CdHgTe epitaxial structures: ab initio calculations
von: R. M. Balabai
Veröffentlicht: (2012)

Радиационная обработка ИК-фотоприемников на основе CdHgTe
von: Завадский, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование собственных и примесных точечных дефектов в сапфировых подложках люминесцентными методами
von: Bletskan, D. I., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
von: A. B. Smirnov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Role of mechanical stresses at ion implantation of CdHgTe solid solutions
von: O. B. Smirnov, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Studies of CdHgTe as a material for x- and γ-ray detectors
von: Kosyachenko, L.A., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Пасивація епітаксійних структур CdHgTe: розрахунки із перших принципів
von: Балабай, Р.М.
Veröffentlicht: (2012)

Оптоэлектронные свойства в гидрогенизированных тонких пленках a-Si1−xGex:H (x = 0−1), полученных плазмохимическим осаждением
von: Najafov, B. A., et al.
Veröffentlicht: (2018)

Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2016)

Вплив домішок і дефектів структури на властивості детекторів на основі CdTe та CdZnTe
von: Kondrik, Alexandr, et al.
Veröffentlicht: (2022)

Наноструктурування поверхні гетероепітаксіальної плівки CdHgTe методом йонної імплантації Ag⁺
von: Удовицька, Р.С.
Veröffentlicht: (2015)

Вплив домішок і структурних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe та CdZnTe
von: Kondrik, Alexander, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Вплив вмісту домішок та структурних дефектів на властивості детектора на основі Cd0.9Mn0.1Te:V
von: Kondrik, Оleksandr, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Kutniy, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Study of the morphology of p-CdHgTe layers structured by grazing silver-ion beam irradiation
von: A. B. Smirnov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Study of the morphology of p-CdHgTe layers structured by grazing silver-ion beam irradiation
von: O. B. Smirnov, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Варизонные слои на основе твердых растворов CdHgTe для двухполосных ИК-фоторезисторов
von: Власенко, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2001)

Тепловизор на основе матричного фотоприемного устройства из 128×128 CdHgTe-фотодиодов
von: Рева, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2010)