Вплив радіаційних дефектів на електрофізичні та детекторні властивості CdTe:Cl, опроміненого нейтронами

• Datum: 2020
• Hauptverfasser: Kondrik, Alexandr, Kovtun, Gennadiy
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2020
• Schlagworte: CdTe:Cl; детектори; моделювання; опромінення нейтронами; дефекти; глибокі рівні; збір зарядів
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.1-2.22
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

A promising material for semiconductor detectors of ionizing radiation is CdTe:Cl which allows obtaining detectors with high resistivity ρ and electron mobility μn. During operation, the detector materials may be exposed to neutron irradiation, which causes radiation defects to form in crystal latti...