Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры
The influence of local anisotropic pressure on a silicon MOS structure has been investigated. It is shown that the increase in inversion capacitance is associated not only with the growth of positive carriers in the oxide at the Si–SiO interface under the influence of local pressure, but also with t...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.5.29 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1864489361486118912 |
|---|---|
| author | Gasanov, A. M. Kasimov, F. D. Lutfalibekova, A. E. |
| author_facet | Gasanov, A. M. Kasimov, F. D. Lutfalibekova, A. E. |
| author_sort | Gasanov, A. M. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-06T11:52:10Z |
| description | The influence of local anisotropic pressure on a silicon MOS structure has been investigated. It is shown that the increase in inversion capacitance is associated not only with the growth of positive carriers in the oxide at the Si–SiO interface under the influence of local pressure, but also with the reduction of the semiconductor band gap width. A negatron circuit is proposed that converts pressure into frequency. |
| first_indexed | 2026-05-07T01:00:17Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1120 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-07T01:00:17Z |
| publishDate | 2004 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-11202026-05-06T11:52:10Z Micronegatrone pressure converter based on a silicon MOS structure Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры Gasanov, A. M. Kasimov, F. D. Lutfalibekova, A. E. negatron MOS structure local pressure elastic mechanical stresses band gap width негатрон МОП-структура локальное давление упругие механические напряжения ширина запрещенной зоны The influence of local anisotropic pressure on a silicon MOS structure has been investigated. It is shown that the increase in inversion capacitance is associated not only with the growth of positive carriers in the oxide at the Si–SiO interface under the influence of local pressure, but also with the reduction of the semiconductor band gap width. A negatron circuit is proposed that converts pressure into frequency. Исследовано влияние локального анизотропного давления на кремниевую МОП-структуру. Показано, что повышение инверсной емкости связано не только с увеличением положительных носителей в окисле на границе раздела Si-SiO под влиянием локального давления, а вызвано также и уменьшением ширины запрещенной зоны полупроводника. Предложена негатронная схема, преобразующая давление в частоту. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.5.29 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2004): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 29-31 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2004): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 29-31 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.5.29/1023 Copyright (c) 2004 Gasanov A. M., Kasimov F. D., Lutfalibekova A. E. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | негатрон МОП-структура локальное давление упругие механические напряжения ширина запрещенной зоны Gasanov, A. M. Kasimov, F. D. Lutfalibekova, A. E. Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры |
| title | Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры |
| title_alt | Micronegatrone pressure converter based on a silicon MOS structure |
| title_full | Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры |
| title_fullStr | Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры |
| title_full_unstemmed | Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры |
| title_short | Микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой МОП-структуры |
| title_sort | микронегатронный преобразователь давления на основе кремниевой моп-структуры |
| topic | негатрон МОП-структура локальное давление упругие механические напряжения ширина запрещенной зоны |
| topic_facet | negatron MOS structure local pressure elastic mechanical stresses band gap width негатрон МОП-структура локальное давление упругие механические напряжения ширина запрещенной зоны |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.5.29 |
| work_keys_str_mv | AT gasanovam micronegatronepressureconverterbasedonasiliconmosstructure AT kasimovfd micronegatronepressureconverterbasedonasiliconmosstructure AT lutfalibekovaae micronegatronepressureconverterbasedonasiliconmosstructure AT gasanovam mikronegatronnyjpreobrazovatelʹdavleniânaosnovekremnievojmopstruktury AT kasimovfd mikronegatronnyjpreobrazovatelʹdavleniânaosnovekremnievojmopstruktury AT lutfalibekovaae mikronegatronnyjpreobrazovatelʹdavleniânaosnovekremnievojmopstruktury |