Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
The assembly processes of MOSFET transistors in the SMD-1 metal-ceramic package were investigated in comparison with the SMD-220 metal-plastic package. Results regarding electrical and thermal parameters are presented. It is shown that the “p-n junction–package” thermal resistance is higher for SMD-...
Gespeichert in:
| Datum: | 2004 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Rubtsevitch, I. I., Anufriev, L. P., Kerentsev, A. F. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.5.54 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов
von: Anufriev, D. L., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Anufriev, D. L., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
von: Рубцевич, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Рубцевич, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Turtsevich, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Turtsevich, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Электрические соединители для поверхностного непаяного монтажа
von: Yefimenko, A. A.
Veröffentlicht: (2012)
von: Yefimenko, A. A.
Veröffentlicht: (2012)
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
von: Ковбаса, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2025)
von: Ковбаса, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2025)
CFD-моделирование радиатора для воздушного охлаждения микропроцессоров в ограниченном пространстве
von: Trofimov, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Trofimov, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Метод определения температуры и теплового сопротивления точек поверхности кристалла интегральной схемы
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Влагоустойчивость транзисторов в пластмассовых корпусах на основе эпоксинаволачных смол
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2001)
Модель алмазного транзистора
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Altukhov, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Surface mounting of unpackaged power MOSFET
von: D. L. Anufriev, et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: D. L. Anufriev, et al.
Veröffentlicht: (2006)
USING MOSFET-TRANSISTORS IN SOLAR PANELS
von: Bondarenko, D.
Veröffentlicht: (2022)
von: Bondarenko, D.
Veröffentlicht: (2022)
Исследование процесса монтажа кристаллов мощных транзисторов вибрационной пайкой
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2000)
von: Ануфриев, Л.П., et al.
Veröffentlicht: (2000)
Experimental electromagnetic compatibility of conducted electromagnetic interferences from an IGBT and a MOSFET in the power supply
von: Lahlaci, M. E., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Lahlaci, M. E., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Датчики интегральной поглощенной дозы ионизирующего излучения на основе МОП-транзисторов
von: Perevertaylo, V. L.
Veröffentlicht: (2010)
von: Perevertaylo, V. L.
Veröffentlicht: (2010)
Влияние легирующих добавок на теплостойкость и теплопередачу никелевых покрытий корпусов ИС
von: Novosyadly, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Novosyadly, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2013)
ВТРАТИ ЕНЕРГІЇ В БАГАТОКОМІРКОВИХ ТРАНЗИСТОРНИХ ПЕРЕТВОРЮВАЧАХ ДЛЯ КОНТАКТНОГО ЗВАРЮВАННЯ
von: Бондаренко, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Бондаренко, О.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2015)
ЧИСЛЕННОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТНОГО ЭФФЕКТА В ФЕРРОМАГНЕТИКЕ ПРИ СИНУСОИДАЛЬНОМ МАГНИТНОМ ПОТОКЕ
von: Петухов, И.С.
Veröffentlicht: (2013)
von: Петухов, И.С.
Veröffentlicht: (2013)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Оптимизация расположения межслойных переходов на группе проводников
von: Knop, K. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Knop, K. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Увеличение чувствительности сенсоров изменения показателя преломления среды на основе поверхностного плазмонного резонанса
von: Ushenin, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Ushenin, Yu. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Design of LLC resonant converter with silicon carbide MOSFET switches and nonlinear adaptive sliding controller for brushless DC motor system
von: Merlin Suba, G., et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Merlin Suba, G., et al.
Veröffentlicht: (2022)
Применение ионоселективных полевых транзисторов для ферментного анализа токсичных примесей в водных растворах
von: Pavluchenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Pavluchenko, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Монтаж микросборок с подложкой из кремния
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2005)
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2005)
Оценка эффективности использования суперкавитации на осесимметричных корпусах
von: Савченко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Савченко, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Збільшення чутливості та радіаційної стійкості сенсорів-перетворювачів температури на основі генераторів на одноперехідних транзисторах
von: Vikulin, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Vikulin, Ivan, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Фундаментальні обмеження для довжини каналу провідності MOSFET з урахуванням реального вигляду бар’єрного потенціалу
von: Strikha, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Strikha, M.V., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Development of a boost-inverter converter under electromagnetic compatibility stress equipping a photovoltaic generator
von: Bechekir, S., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Bechekir, S., et al.
Veröffentlicht: (2023)
ОЦЕНКА СРОКОВ СЛУЖБЫ ЭЛЕКТРОДВИГАТЕЛЕЙ, РАБОТАЮЩИХ В ПОВТОРНО-КРАТКОВРЕМЕННЫХ РЕЖИМАХ
von: Федоров, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Федоров, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)
МОЩНЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ ГЕНЕРАТОРЫ С ПОЛУПРОВОДНИКОВЫМИ КОММУТАТОРАМИ
von: Бойко, Н.И.
Veröffentlicht: (2014)
von: Бойко, Н.И.
Veröffentlicht: (2014)
Анализ взаимной емкости и индуктивности печатного монтажа
von: Иванов, В.Г.
Veröffentlicht: (2014)
von: Иванов, В.Г.
Veröffentlicht: (2014)
ОПТИМИЗАЦИЯ ПРОЦЕССА СХОДИМОСТИ ПЕРИОДИЧЕСКОГО РЕШЕНИЯ ПРИ МОДЕЛИРОВАНИИ НЕЛИНЕЙНОГО ПОВЕРХНОСТНОГО ЭФФЕКТА МЕТОДОМ КОНЕЧНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ
von: Петухов, И.С.
Veröffentlicht: (2016)
von: Петухов, И.С.
Veröffentlicht: (2016)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Допускаемое давление для заполнителя герметичных муфт, используемых при ремонте магистральных трубопроводов
von: Махненко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Махненко, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Метод оптимизации массогабаритных показателей при компоновке герметичных блоков бортовых радиоэлектронных аппаратов
von: Крищук, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Крищук, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Оптимизация изготовления высоковольтного горизонтального р-канального МОП-транзистора
von: Leonov, N. I., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Leonov, N. I., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Физические имитаторы мощных транзисторов
von: Стевич, З.
Veröffentlicht: (2000)
von: Стевич, З.
Veröffentlicht: (2000)
Ähnliche Einträge
-
Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов
von: Anufriev, D. L., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Исследование MOSFET-транзисторов в различных герметичных корпусах для поверхностного монтажа
von: Рубцевич, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Turtsevich, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Электрические соединители для поверхностного непаяного монтажа
von: Yefimenko, A. A.
Veröffentlicht: (2012) -
ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ ДИНАМІЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК SI-MOSFET, SIC-MOSFET ТА SI-IGBT ТРАНЗИСТОРІВ
von: Ковбаса, С.М., et al.
Veröffentlicht: (2025)