Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов
In the fabrication of hybrid ionizing radiation pixel detectors, the sensor array is connected to the readout device using columnar interconnects via flip-chip technology. A process for forming Pb/Sn and In columnar interconnects on GaAs sensor arrays has been developed and investigated. A TiW/Ag sy...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | Berishvili, Z. V., Jangidze, L. V., Skhiladze, G. A., Melkadze, R. G., Lezhneva, T. M., Peradze, G. G. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.4.43 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов
за авторством: Беришвили, З.В., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Беришвили, З.В., та інші
Опубліковано: (2004)
Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
за авторством: Hotra, Z. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Hotra, Z. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2004)
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2006)
Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2004)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
за авторством: Готра, З.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Готра, З.Ю., та інші
Опубліковано: (2009)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
за авторством: Abyzov, A. S., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Abyzov, A. S., та інші
Опубліковано: (2004)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
за авторством: Kutniy, V. E., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kutniy, V. E., та інші
Опубліковано: (2005)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
Устройства для контроля качества сварных соединений выводов бескорпусных микросхем
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Spirin, V. G.
Опубліковано: (2013)
Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
за авторством: Skrypnyk, A. I.
Опубліковано: (2015)
за авторством: Skrypnyk, A. I.
Опубліковано: (2015)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
за авторством: Sidorenko, V. P., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Sidorenko, V. P., та інші
Опубліковано: (2009)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
Устройства для контроля качества сварных соединений выводов бескорпусных микросхем
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Спирин, В.Г.
Опубліковано: (2013)
Вплив параметрів детектора на ефективність приймання радіосигналів зі складною фазовою модуляцією
за авторством: Maksymiv, I. P., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Maksymiv, I. P., та інші
Опубліковано: (2018)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
за авторством: Bodnaruk, O. A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Bodnaruk, O. A., та інші
Опубліковано: (2004)
«Сатурн» остается на орбите
за авторством: Chmil, V. M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Chmil, V. M., та інші
Опубліковано: (2013)
МЕТОДИ ВИЗНАЧЕННЯ ІНФОРМАТИВНИХ СИГНАЛІВ, ВІДБИТИХ ВІД БІОЛОГІЧНИХ ОБ’ЄКТІВ, ПРИ ПОБУДОВІ МЕДИЧНИХ РАДАРІВ
за авторством: ХОМЕНКО, ЖАННА МИКОЛАЇВНА, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: ХОМЕНКО, ЖАННА МИКОЛАЇВНА, та інші
Опубліковано: (2019)
Выращивание крупногабаритных монокристаллов вольфрамата кадмия с высокой оптической однородностью
за авторством: Solskii, I. M.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Solskii, I. M.
Опубліковано: (2005)
Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)
ПОДАВЛЕНИЕ ГАРМОНИК ТОКА ПИТАНИЯ МОЩНЫХ ОДНОФАЗНЫХ НАГРУЗОК
за авторством: Волков, И.В., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Волков, И.В., та інші
Опубліковано: (2019)
Герметизированные модули кремниевых детекторов ионизирующего излучения
за авторством: Васильев, Г.П., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Васильев, Г.П., та інші
Опубліковано: (2010)
Автоматизированная система определения глубины выгорания отработавшего ядерного топлива
за авторством: Mokritskii, V. A., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Mokritskii, V. A., та інші
Опубліковано: (2014)
ЕФЕКТИВНІСТЬ ОПТИЧНОЇ КАЛІБРОВКИ У ВИСОКОТОЧНИХ ЛАЗЕРНИХ ДАЛЕКОМІРАХ
за авторством: Брагинець, І.О., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Брагинець, І.О., та інші
Опубліковано: (2023)
Гибридный автодинный сенсор магнитного резонанса
за авторством: Brajilovskyj, V. V., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Brajilovskyj, V. V., та інші
Опубліковано: (2009)
РОЗРОБКА ТА ВИГОТОВЛЕННЯ ДЕТЕКТОРІВ ТИПУ СЦИНТИЛЯТОР-ФЕП НА ОСНОВІ ZnSe(Al) ТА ПЛАСТМАСОВОГО СЦИНТИЛЯТОРУ UPS-923A ДЛЯ ПРИЛАДІВ РЕЄСТРАЦІЇ α-, β- ТА ЗМІШАНИХ α-β-ВИПРОМІНЕНЬ
за авторством: BOYARINTSEV, A., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: BOYARINTSEV, A., та інші
Опубліковано: (2023)
ОПТОЕЛЕКТРОННА СИСТЕМА ЕКОЛОГІЧНОГО МОНІТОРИНГУ
за авторством: КОЖЕМ'ЯКО, АНДРІЙ ВІКТОРОВИЧ, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: КОЖЕМ'ЯКО, АНДРІЙ ВІКТОРОВИЧ, та інші
Опубліковано: (2019)
Схожі ресурси
-
Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов
за авторством: Беришвили, З.В., та інші
Опубліковано: (2004) -
Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
за авторством: Hotra, Z. Yu., та інші
Опубліковано: (2009) -
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008) -
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007) -
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2004)