Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов
In the fabrication of hybrid ionizing radiation pixel detectors, the sensor array is connected to the readout device using columnar interconnects via flip-chip technology. A process for forming Pb/Sn and In columnar interconnects on GaAs sensor arrays has been developed and investigated. A TiW/Ag sy...
Gespeichert in:
| Datum: | 2004 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Berishvili, Z. V., Jangidze, L. V., Skhiladze, G. A., Melkadze, R. G., Lezhneva, T. M., Peradze, G. G. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.4.43 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов
von: Беришвили, З.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Беришвили, З.В., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
von: Hotra, Z. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Hotra, Z. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
von: Готра, З.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Готра, З.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Фотоэлектростимулированная пассивация спектрометрических Cd1–xZnxTe-детекторов
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма-излучения
von: Abyzov, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Abyzov, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Kutniy, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Kutniy, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)
Устройства для контроля качества сварных соединений выводов бескорпусных микросхем
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2013)
von: Spirin, V. G.
Veröffentlicht: (2013)
Моделирование отклика CdZnTe- и TlBr-детекторов для регистрации смешанного бета- и гамма-излучения
von: Skrypnyk, A. I.
Veröffentlicht: (2015)
von: Skrypnyk, A. I.
Veröffentlicht: (2015)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
von: Borisenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Borisenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
СБИС для микроэлектронного координатно-чувствительного детектора приборов элементного анализа материалов
von: Sidorenko, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Sidorenko, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Устройства для контроля качества сварных соединений выводов бескорпусных микросхем
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2013)
von: Спирин, В.Г.
Veröffentlicht: (2013)
Вплив параметрів детектора на ефективність приймання радіосигналів зі складною фазовою модуляцією
von: Maksymiv, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Maksymiv, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
von: Kondrik, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Kondrik, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Координатно-чувствительный фотоэлектромагнитный детектор ИК-излучения на основе HgCdTe
von: Bodnaruk, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Bodnaruk, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2004)
«Сатурн» остается на орбите
von: Chmil, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Chmil, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
МЕТОДИ ВИЗНАЧЕННЯ ІНФОРМАТИВНИХ СИГНАЛІВ, ВІДБИТИХ ВІД БІОЛОГІЧНИХ ОБ’ЄКТІВ, ПРИ ПОБУДОВІ МЕДИЧНИХ РАДАРІВ
von: ХОМЕНКО, ЖАННА МИКОЛАЇВНА, et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: ХОМЕНКО, ЖАННА МИКОЛАЇВНА, et al.
Veröffentlicht: (2019)
Выращивание крупногабаритных монокристаллов вольфрамата кадмия с высокой оптической однородностью
von: Solskii, I. M.
Veröffentlicht: (2005)
von: Solskii, I. M.
Veröffentlicht: (2005)
ПОДАВЛЕНИЕ ГАРМОНИК ТОКА ПИТАНИЯ МОЩНЫХ ОДНОФАЗНЫХ НАГРУЗОК
von: Волков, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Волков, И.В., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Герметизированные модули кремниевых детекторов ионизирующего излучения
von: Васильев, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Васильев, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Автоматизированная система определения глубины выгорания отработавшего ядерного топлива
von: Mokritskii, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Mokritskii, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)
ЕФЕКТИВНІСТЬ ОПТИЧНОЇ КАЛІБРОВКИ У ВИСОКОТОЧНИХ ЛАЗЕРНИХ ДАЛЕКОМІРАХ
von: Брагинець, І.О., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Брагинець, І.О., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Гибридный автодинный сенсор магнитного резонанса
von: Brajilovskyj, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Brajilovskyj, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
РОЗРОБКА ТА ВИГОТОВЛЕННЯ ДЕТЕКТОРІВ ТИПУ СЦИНТИЛЯТОР-ФЕП НА ОСНОВІ ZnSe(Al) ТА ПЛАСТМАСОВОГО СЦИНТИЛЯТОРУ UPS-923A ДЛЯ ПРИЛАДІВ РЕЄСТРАЦІЇ α-, β- ТА ЗМІШАНИХ α-β-ВИПРОМІНЕНЬ
von: BOYARINTSEV, A., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: BOYARINTSEV, A., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Ähnliche Einträge
-
Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов
von: Беришвили, З.В., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
von: Hotra, Z. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Kovtun, G. P., et al.
Veröffentlicht: (2004)