Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
ultrasonic treatment, isochronous annealing, neutron-doped germanium, radiation defects A method is proposed for annealing semiconductors under ultrasonic irradiation (f = 5–10 MHz, W < 10⁴ W/m²). Isochronous annealing of radiation defects was performed on model samples of neutron-doped G...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автори: | Olikh, Ja. M., Lysiuk, I. O., Tymochko, M. D. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.3.09 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
за авторством: Олих, Я.М., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Олих, Я.М., та інші
Опубліковано: (2004)
Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
за авторством: Засимчук, В.И., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Засимчук, В.И., та інші
Опубліковано: (2018)
Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии
за авторством: Варенцов, М.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Варенцов, М.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)
Влияние режимов ионного легирования и фотонного отжига на параметры имплантированных слоев n-GaAs:Si
за авторством: Bonchyk, A. Yu., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Bonchyk, A. Yu., та інші
Опубліковано: (2005)
Ионизационные механизмы генерации радиационных дефектов в кристаллах LiF при облучении высокоэнергетическими электронами
за авторством: Неклюдов, И.М., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Неклюдов, И.М., та інші
Опубліковано: (2009)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть вторая: эксперимент
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
Ионизационный отжиг полупроводниковых кристаллов. Часть первая: Теоретические предпосылки
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Garkavenko, A. S., та інші
Опубліковано: (2014)
Лазерное текстурирование поверхности предварительно нагретого монокристалла кремния
за авторством: Krapivko, H. I.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Krapivko, H. I.
Опубліковано: (2005)
Термоэлектрическое устройство для терморефлексотерапии
за авторством: Kushneryk, L. Ya., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kushneryk, L. Ya., та інші
Опубліковано: (2005)
Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
за авторством: Konakova, R. V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Konakova, R. V., та інші
Опубліковано: (2010)
Радиационная стойкость нитевидных кристаллов SiGe, используемых для сенсоров физических величин
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2011)
Особенности разработки термостабилизированных германиевых фотодиодов
за авторством: Ryuhtin, V. V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ryuhtin, V. V., та інші
Опубліковано: (2004)
Влияние исходных дефектов на распределение механических напряжений и деформаций при окислении кремния
за авторством: Kulinich, O. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Kulinich, O. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование собственных и примесных точечных дефектов в сапфировых подложках люминесцентными методами
за авторством: Bletskan, D. I., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Bletskan, D. I., та інші
Опубліковано: (2006)
Изотермический отжиг радиационных дефектов в сплавах циркония с редкоземельными металлами
за авторством: Борисенко, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Борисенко, В.Н., та інші
Опубліковано: (2010)
Накопление и отжиг радиационных дефектов в цирконии, легированном редкоземельными металлами
за авторством: Борисенко, В.Н., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Борисенко, В.Н., та інші
Опубліковано: (2009)
Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
за авторством: Yodgorova, D. М.
Опубліковано: (2006)
за авторством: Yodgorova, D. М.
Опубліковано: (2006)
Адсорбционное понижение прочности сорбентов и катализаторов
за авторством: Лепин, И.В., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Лепин, И.В., та інші
Опубліковано: (2018)
Адсорбционное понижение прочности сорбентов и катализаторов
за авторством: Лепин, И.В., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Лепин, И.В., та інші
Опубліковано: (2018)
Отжиг радиационных дефектов в сплавах Н36, легированных фосфором и титаном
за авторством: Данилов, С.Е., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Данилов, С.Е., та інші
Опубліковано: (2000)
Влияние периодического изменения температуры на диффузионный распад бинарного твёрдого раствора
за авторством: Шаповалов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Шаповалов, Р.В., та інші
Опубліковано: (2016)
Влияние температуры пайки на структуру паяных разнородных соединений молибден–нержавеющая сталь
за авторством: Максимова, С.В., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Максимова, С.В., та інші
Опубліковано: (2017)
Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления
за авторством: Брандт, Н.Б., та інші
Опубліковано: (1996)
за авторством: Брандт, Н.Б., та інші
Опубліковано: (1996)
Методы удаления дефектов, возникающих при жидкостном травлении поверхности поликристаллического кремния
за авторством: Ivanchykou, A. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Ivanchykou, A. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Определение радиационной стойкости ИС с помощью низкоэнергетического излучения
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Perevertailo, V. L.
Опубліковано: (2012)
Ускорительный комплекс для изучения поведения гелия и водорода в условиях генерации радиационных дефектов
за авторством: Толстолуцкая, Г.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Толстолуцкая, Г.Д., та інші
Опубліковано: (2010)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
Понижение температуры плавления с уменьшением толщины плёнок Bi, In, Pb и Sn в Al матрице
за авторством: Богатыренко, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Богатыренко, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)
Влияние дефектов на радиационно-индуцированные процессы в сцинтилляционных кристаллах вольфрамата кадмия
за авторством: Тупицына, И.А., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Тупицына, И.А., та інші
Опубліковано: (2009)
Неоднородный ближний порядок в сплавах Ni-Mo и его влияние на аннигиляцию радиационных дефектов
за авторством: Кулиш, Н.П., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Кулиш, Н.П., та інші
Опубліковано: (2001)
Локальные свойства электрически активных дефектов в солнечных батареях на основе кремния
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Расчет концентраций равновесных дефектов в беспримесных кристаллах селенида цинка методом квазихимических реакций
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Махний, В.П., та інші
Опубліковано: (2007)
Повышение адгезионной прочности никелевых контактов ветвей термоэлектрических модулей
за авторством: Asheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Asheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2006)
Метод учета рекомбинации точечных дефектов в теории диффузионных процессов в кристаллах под облучением
за авторством: Слёзов, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Слёзов, В.В., та інші
Опубліковано: (2010)
Влияние термического отжига на структуру дефектов и свойства наностуктурного покрытия Ti-Si-N, полученного катодным вакуумно-дуговым осаждением
за авторством: Погребняк, А.Д., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Погребняк, А.Д., та інші
Опубліковано: (2013)
Статический и динамический переход порядок–беспорядок вихревой решетки в кристаллах YBaCuO: влияние точечных дефектов, анизотропии, температуры и магнитного поля
за авторством: Петрусенко, Ю.Т.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Петрусенко, Ю.Т.
Опубліковано: (2010)
Влияние температуры отжига на механические характеристики молибденового сплава и его соединений
за авторством: Задерий, Б.А., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Задерий, Б.А., та інші
Опубліковано: (2004)
Фотоиндуцированное понижение валентности ионов ванадия в гранате NaCa₂Mn₂V₃O₁₂
за авторством: Гнатченко, С.Л., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Гнатченко, С.Л., та інші
Опубліковано: (2004)
Схожі ресурси
-
Акустостимулированное понижение температуры отжига радиационных дефектов в кристаллах Ge
за авторством: Олих, Я.М., та інші
Опубліковано: (2004) -
Некоторые соображения об образовании дефектов в кристаллах на атомном уровне
за авторством: Засимчук, В.И., та інші
Опубліковано: (2018) -
Влияние облучения и отжига на термическую стабильность радиационных дефектов в кремнии
за авторством: Варенцов, М.Д., та інші
Опубліковано: (2010) -
Повышение радиационной устойчивости кремниевых монокристаллических эпитаксиальных слоев
за авторством: Kurmashev, Sh. D., та інші
Опубліковано: (2014) -
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
за авторством: Sydor, O. N., та інші
Опубліковано: (2012)