Изменения низкочастотных шумов в р-n-переходах при низких температурах
The results of experimental studies of a gallium arsenide diode in the temperature range of 78–300 K are presented. It is proposed that, when designing equipment, the operational stability of semiconductor sensors in the low-temperature range be preliminarily assessed based on an analysis of generat...
Збережено в:
| Дата: | 2004 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2004
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.2.10 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |