Сенсор для контроля процессов формирования и набора прочности вяжущих сред

Studies were carried out on the strain and pressure sensitivity of layered low-dimensional А3В6-type single crystals. The baric sensitivity coefficient for indium selenide (InSe) single crystals is 10−8−10−7 Pa−1, and the strain sensitivity is 103−104. The possibility of using such sens...

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Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Datum:2004
Hauptverfasser: Zaichenko, L. M., Serediuk, A. I., Fotiy, V. D., Shevchuk, Yu. F.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2004
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2004.2.57
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Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

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