Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений
Using computer modeling, the drift mobility of conduction electrons (µ) and the specific resistivity (ρ) of CdZnTe detector material were investigated as functions of impurity composition and the molar fraction of CdTe (CCdTe ) at a temperature of T = 300 K. It was established that an increase in th...
Saved in:
| Date: | 2003 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2003
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.03 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1865667123521519616 |
|---|---|
| author | Kondrik, A. I. Kovtun, G. P. |
| author_facet | Kondrik, A. I. Kovtun, G. P. |
| author_sort | Kondrik, A. I. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-05-19T20:36:22Z |
| description | Using computer modeling, the drift mobility of conduction electrons (µ) and the specific resistivity (ρ) of CdZnTe detector material were investigated as functions of impurity composition and the molar fraction of CdTe (CCdTe ) at a temperature of T = 300 K. It was established that an increase in the band gap Eg0 (at T = 0) from 1.6 eV (corresponding to CCdTe = 1) to 1.8 eV (CCdTe ≈ 0.8) leads to an increase in ρ by approximately two orders of magnitude. With the initial background impurity composition preserved, a further increase in Eg0 up to 2.1 eV (CCdTe ≈ 0.5) does not significantly affect the value of Eg0. |
| first_indexed | 2026-05-20T01:00:18Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-1202 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-05-20T01:00:18Z |
| publishDate | 2003 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-12022026-05-19T20:36:22Z Study of semiconductor materials properties for ionizing radiation detectors Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений Kondrik, A. I. Kovtun, G. P. CdZnTe detectors ionizing radiation electron drift mobility band gap width specific resistivity computer modeling CdZnTe-детектори іонізуюче випромінювання дрейфова рухливість електронів питомий опір комп’ютерне моделювання ширина забороненої зони Using computer modeling, the drift mobility of conduction electrons (µ) and the specific resistivity (ρ) of CdZnTe detector material were investigated as functions of impurity composition and the molar fraction of CdTe (CCdTe ) at a temperature of T = 300 K. It was established that an increase in the band gap Eg0 (at T = 0) from 1.6 eV (corresponding to CCdTe = 1) to 1.8 eV (CCdTe ≈ 0.8) leads to an increase in ρ by approximately two orders of magnitude. With the initial background impurity composition preserved, a further increase in Eg0 up to 2.1 eV (CCdTe ≈ 0.5) does not significantly affect the value of Eg0. Методом компьютерного моделирования исследовались дрейфовая подвижность электронов проводимости (µ) и удельное сопротивление (ρ) материала детекторов CdZnTe в зависимости от примесного состава и мольной доли соединения СdTe (CCdTe ) при температуре Т=300 К. Установлено, что увеличение запрещенной зоны Eg0 (при Т=0) от 1,6 эВ (соответствующее CCdTe =1) до 1,8 эВ (CСdTe ≈ 0,8) приводит к увеличению ρ примерно на два порядка. При сохранении исходного состава фоновых примесей дальнейшее увеличение Eg0 вплоть до 2,1 эВ (CCdTe ≈ 0,5) существенно не влияет на величину Eg0. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2003-12-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.03 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2003): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature ; 3-6 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2003): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 3-6 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.03/1101 Copyright (c) 2003 Kondrik A. I., Kovtun G. P. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | CdZnTe-детектори іонізуюче випромінювання дрейфова рухливість електронів питомий опір комп’ютерне моделювання ширина забороненої зони Kondrik, A. I. Kovtun, G. P. Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| title | Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| title_alt | Study of semiconductor materials properties for ionizing radiation detectors |
| title_full | Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| title_fullStr | Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| title_full_unstemmed | Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| title_short | Исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| title_sort | исследование свойств полупроводниковых материалов для детекторов ионизирующих излучений |
| topic | CdZnTe-детектори іонізуюче випромінювання дрейфова рухливість електронів питомий опір комп’ютерне моделювання ширина забороненої зони |
| topic_facet | CdZnTe detectors ionizing radiation electron drift mobility band gap width specific resistivity computer modeling CdZnTe-детектори іонізуюче випромінювання дрейфова рухливість електронів питомий опір комп’ютерне моделювання ширина забороненої зони |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2003.6.03 |
| work_keys_str_mv | AT kondrikai studyofsemiconductormaterialspropertiesforionizingradiationdetectors AT kovtungp studyofsemiconductormaterialspropertiesforionizingradiationdetectors AT kondrikai issledovaniesvojstvpoluprovodnikovyhmaterialovdlâdetektorovioniziruûŝihizlučenij AT kovtungp issledovaniesvojstvpoluprovodnikovyhmaterialovdlâdetektorovioniziruûŝihizlučenij |